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Recubrimiento de carburo de tantalio

VeTek Semiconductor es un fabricante líder de materiales de recubrimiento de carburo de tantalio para la industria de semiconductores. Nuestra principal oferta de productos incluye piezas con revestimiento de carburo de tantalio CVD, piezas con revestimiento de TaC sinterizado para el crecimiento de cristales de SiC o procesos de epitaxia de semiconductores. Aprobado ISO9001, VeTek Semiconductor tiene un buen control de calidad. VeTek Semiconductor se dedica a convertirse en innovador en la industria de recubrimientos de carburo de tantalio mediante la investigación y el desarrollo continuos de tecnologías iterativas.


Los principales productos sonAnillo guía recubierto de TaC, Anillo guía de tres pétalos recubierto de CVD TaC, Media luna recubierta de TaC de carburo de tantalio, Susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC, Anillo de recubrimiento de carburo de tantalio, Grafito poroso recubierto de carburo de tantalio, Susceptor de rotación de recubrimiento TaC, Anillo de carburo de tantalio, Placa de rotación de recubrimiento TaC, Susceptor de oblea recubierta de TaC, Anillo deflector recubierto de TaC, Cubierta de revestimiento CVD TaC, Mandril recubierto de TaCetc., la pureza es inferior a 5 ppm y puede cumplir con los requisitos del cliente.


El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD). La ventaja se muestra en la siguiente imagen:


Excellent properties of TaC coating graphite


El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva a los procesos de epitaxia de semiconductores compuestos con requisitos de temperatura más altos. como el sistema Aixtron MOCVD y el proceso de epitaxia LPE SiC. También tiene una amplia aplicación en el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT.


Características clave:

 ●Estabilidad de temperatura

 ●Pureza ultraalta

 ●Resistencia a H2, NH3, SiH4,Si

 ●Resistencia al stock térmico.

 ●Fuerte adherencia al grafito.

 ●Cobertura de revestimiento conformado

 Tamaño hasta 750 mm de diámetro (El único fabricante en China alcanza este tamaño)


Aplicaciones:

 ●Portador de oblea

 ● Susceptor de calentamiento inductivo

 ● Elemento calefactor resistivo

 ●Disco satelital

 ●cabezal de ducha

 ●Anillo guía

 ●Receptor LED Epi

 ●Boquilla de inyección

 ●anillo de enmascaramiento

 ● Escudo térmico


Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica:


the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating


Parámetro del recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek:

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad 14,3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6.3 10-6/K
Dureza (HK) 2000 Hong Kong
Resistencia 1×10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica <2500℃
Cambios de tamaño de grafito -10~-20um
Espesor del recubrimiento Valor típico ≥20um (35um±10um)


Datos EDX del recubrimiento TaC

EDX data of TaC coating


Datos de la estructura cristalina del recubrimiento TaC:

Elemento Porcentaje atómico
pt. 1 pt. 2 pt. 3 Promedio
CK 52.10 57.41 52.37 53.96
A ellos 47.90 42.59 47.63 46.04


TaC Coating Chuck Mandril de recubrimiento TaC TaC Coating Planetary Disk Disco planetario con revestimiento de TaC
Placa recubierta de TaC
TaC Coating Rotation Plate Placa de rotación de recubrimiento TaC Receptor de recubrimiento TaC CVD TaC coating Cover Cubierta de recubrimiento CVD TaC CVD TaC Coating Ring Anillo de recubrimiento CVD TaC TaC Coating Plate Placa de revestimiento TaC


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Anillo de grafito recubierto de carburo de tantalio poroso (TaC)

Anillo de grafito recubierto de carburo de tantalio poroso (TaC)

El anillo de grafito recubierto de TaC poroso VETEK es un componente de campo térmico diseñado para el crecimiento de monocristales de SiC mediante el proceso PVT (transporte físico de vapor). Se produce a partir de grafito poroso de alta pureza y se recubre con carburo de tantalio (TaC) mediante tecnología CVD. El diseño tiene como objetivo la estabilidad a altas temperaturas, la resiliencia química y el rendimiento controlado del campo térmico. Al minimizar la contaminación y favorecer la coherencia del proceso, este componente contribuye a resultados de crecimiento de cristales de SiC reproducibles.
Susceptor recubierto de carburo de tantalio (TaC) CVD

Susceptor recubierto de carburo de tantalio (TaC) CVD

El susceptor recubierto de TaC CVD VETEK combina un sustrato de grafito isostático de alta pureza con un recubrimiento denso de carburo de tantalio (TaC) CVD para ofrecer una estabilidad térmica excepcional, resistencia a la corrosión y baja generación de partículas para epitaxia de semiconductores exigentes. Diseñado para el crecimiento epitaxial de SiC, GaN y AlN, minimiza la contaminación, mejora la uniformidad de la temperatura de las obleas y extiende la vida útil de los componentes en procesos MOCVD y CVD de alta temperatura.
Grafito poroso recubierto de carburo de tantalio (TaC) para el crecimiento de cristales de SiC

Grafito poroso recubierto de carburo de tantalio (TaC) para el crecimiento de cristales de SiC

El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio VeTek Semiconductor es la última innovación en tecnología de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC). Diseñado para campos térmicos de alto rendimiento, este material compuesto avanzado proporciona una solución superior para la gestión de la fase de vapor y el control de defectos en el proceso PVT (transporte físico de vapor).
Anillo de cubierta de oblea de grafito recubierto de TaC

Anillo de cubierta de oblea de grafito recubierto de TaC

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de anillo protector de oblea de grafito recubierto de TaC en China. No solo ofrecemos un anillo de cubierta de oblea de grafito recubierto de TaC avanzado y duradero, sino que también brindamos servicios personalizados. Bienvenido a comprar un anillo de cubierta de oblea de grafito recubierto de TaC en nuestra fábrica.
Susceptor recubierto de CVD TaC

Susceptor recubierto de CVD TaC

El susceptor recubierto Vetek CVD TaC es una solución de precisión desarrollada específicamente para el crecimiento epitaxial MOCVD de alto rendimiento. Demuestra una excelente estabilidad térmica e inercia química en ambientes de temperaturas extremadamente altas de 1600 °C. Confiando en el riguroso proceso de deposición CVD de VETEK, estamos comprometidos a mejorar la uniformidad del crecimiento de las obleas, extender la vida útil de los componentes centrales y brindar garantías de rendimiento estables y confiables para cada lote de producción de semiconductores.
Anillo de grafito recubierto de CVD TaC

Anillo de grafito recubierto de CVD TaC

El anillo de grafito recubierto de CVD TaC de Veteksemicon está diseñado para satisfacer las demandas extremas del procesamiento de obleas semiconductoras. Utilizando la tecnología de deposición química de vapor (CVD), se aplica un recubrimiento denso y uniforme de carburo de tantalio (TaC) a sustratos de grafito de alta pureza, logrando una dureza, resistencia al desgaste e inercia química excepcionales. En la fabricación de semiconductores, el anillo de grafito recubierto de CVD TaC se usa ampliamente en cámaras MOCVD, de grabado, de difusión y de crecimiento epitaxial, y sirve como componente estructural o de sellado clave para portadores de obleas, susceptores y conjuntos de blindaje. Esperamos su consulta adicional.
Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de tantalio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Si necesita servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desea comprar Recubrimiento de carburo de tantalio avanzado y duradero fabricado en China, puede dejarnos un mensaje.
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