VeTek Semiconductor es un fabricante líder de materiales de recubrimiento de carburo de tantalio para la industria de semiconductores. Nuestra principal oferta de productos incluye piezas con revestimiento de carburo de tantalio CVD, piezas con revestimiento de TaC sinterizado para el crecimiento de cristales de SiC o procesos de epitaxia de semiconductores. Aprobado ISO9001, VeTek Semiconductor tiene un buen control de calidad. VeTek Semiconductor se dedica a convertirse en innovador en la industria de recubrimientos de carburo de tantalio mediante la investigación y el desarrollo continuos de tecnologías iterativas.
Los principales productos son anillo guía recubierto de TaC, anillo guía de tres pétalos recubierto de TaC CVD, media luna recubierta de carburo de tantalio TaC, susceptor epitaxial planetario de SiC con recubrimiento de TaC CVD, anillo de recubrimiento de carburo de tantalio, grafito poroso recubierto de carburo de tantalio, susceptor de rotación de recubrimiento TaC, anillo de carburo de tantalio, placa de rotación de recubrimiento TaC, susceptor de oblea recubierto de TaC, recubierto de TaC El anillo deflector, la cubierta con revestimiento CVD TaC, el mandril recubierto con TaC, etc., la pureza es inferior a 5 ppm y pueden cumplir con los requisitos del cliente.
El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD). La ventaja se muestra en la siguiente imagen:
El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva a los procesos de epitaxia de semiconductores compuestos con requisitos de temperatura más altos, como el sistema Aixtron MOCVD y el proceso de epitaxia de SiC LPE. También tiene una amplia aplicación en el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT.
Características clave
● Estabilidad de temperatura hasta 2500°C con excelente resistencia al choque térmico.
● Pureza ultraalta (<5 ppm) y fuerte adhesión al grafito para una generación mínima de partículas.
● Resistencia superior a vapores de H₂, NH₃, SiH₄ y Si en entornos de proceso hostiles.
● Cobertura de revestimiento conformal con capacidad de tamaño de hasta 750 mm de diámetro, disponible únicamente en China.
Especificación de producto
Parámetro del recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek:
| Propiedades físicas del recubrimiento TaC. |
| Densidad |
14,3 g/cm³ |
| Dureza |
2000 Hong Kong |
| Expansión térmica |
6,3×10⁻⁶/K |
| Resistencia |
1×10⁻⁵ Ohmio·cm |
| Estabilidad térmica |
<2500°C |
| Espesor del revestimiento |
≥20μm (típico 35±10μm) |
Recubrimiento de carburo (TaC) en una sección transversal microscópica:
Datos EDX del recubrimiento TaC:
Datos de la estructura cristalina del recubrimiento TaC:
| Elemento |
Porcentaje atómico |
|
|
pt. 1 |
pt. 2 |
pt. 3 |
Promedio |
| CK |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| ta m |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
Aplicaciones
Para satisfacer las diversas necesidades de los procesos de semiconductores, VeTek ofrece productos de recubrimiento de carburo de tantalio específicos. La siguiente tabla los clasifica por áreas de aplicación principales, enumerando componentes típicos y procesos aplicables:
| Campo de aplicación |
Productos típicos |
Descripción de la aplicación |
| Epitaxia de SiC |
Susceptor planetario recubierto de CVD TaC,Susceptor de oblea recubierta de TaC,Anillo guía recubierto de TaC
|
Adecuado para procesos epitaxiales de SiC de alta temperatura (p. ej., método LPE), que proporciona una alta estabilidad térmica y una interfaz de baja contaminación para garantizar la uniformidad de la película. |
| Epitaxia GaN/LED (MOCVD) |
Alcachofa de ducha, disco satélite, anillo de enmascaramiento, escudo térmico, boquilla de inyección |
Adecuado para sistemas Aixtron MOCVD, resistente a la corrosión por H₂/NH₃, reduciendo la contaminación por partículas y mejorando el rendimiento epitaxial del LED. |
| Crecimiento de cristales de SiC (método PVT) |
Grafito poroso recubierto de TaC,Media luna recubierta de TaC,anillo guía,cubrir,arrojar
|
Se utiliza en el crecimiento de lingotes de PVT SiC, resiste hasta 2500 °C, previene reacciones de grafito y garantiza la pureza del cristal. |
| Componentes de soporte y calefacción de alta temperatura |
Susceptor de calentamiento inductivo,elemento calefactor resistivo, portador de oblea
|
Adecuado para sistemas de calentamiento resistivo o por inducción, ofrece alta dureza y resistencia al choque térmico, lo que extiende la vida útil de los componentes entre 3 y 5 veces. |
Para obtener soluciones de coincidencia de procesos más detalladas, consulte laEpitaxia de carburo de siliciopágina de aplicación relacionada.
Apoyamos servicios personalizados basados en los requisitos del cliente. Pasó ISO9001 con buen control de calidad.
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