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VeTek Semiconductor suministra obleas y sustratos monocristalinos de nitruro de aluminio (AlN) de alta calidad para dispositivos semiconductores de banda prohibida ultra ancha de próxima generación. Con una banda prohibida ultra amplia de aproximadamente 6,2 eV, una excelente conductividad térmica, un aislamiento eléctrico excepcional y una excelente combinación de red y expansión térmica con GaN, las obleas de AlN son ideales para dispositivos de RF de alta potencia, electrónica de potencia de alto voltaje y optoelectrónica ultravioleta profunda (DUV).

Los tubos de horno de cuarzo de alta pureza de VeTek Semiconductor son componentes centrales de la cámara de proceso para equipos de procesamiento térmico de semiconductores. Fabricados a partir de cuarzo fundido deshidroxilado de grado semiconductor, estos tubos sirven como cavidad de reacción sellada en hornos de oxidación, hornos de difusión, hornos de recocido y sistemas LPCVD. Ofrecen una pureza, estabilidad térmica y resistencia química excepcionales, lo que garantiza campos de temperatura uniformes, un flujo de gas estable y una contaminación ultrabaja para el procesamiento de obleas de 4/6/8/12 pulgadas.

Los accesorios de SiC sólido de VeTek Semiconductor para la plataforma Aixtron G10-SiC son componentes de carburo de silicio totalmente densos y de alta pureza diseñados para el exigente entorno térmico y químico del crecimiento epitaxial de SiC. Estas piezas ofrecen una excelente estabilidad a altas temperaturas, resistencia química y generación de partículas ultrabaja, lo que respalda la configuración del reactor planetario de alto rendimiento de 9 × 150 mm / 6 × 200 mm utilizada en la fabricación de dispositivos de energía.

El servicio de limpieza profesional VETEK para piezas de grafito recubiertas de CVD SiC es un servicio técnico especializado diseñado para susceptores de equipos MOCVD de Aixtron / Veeco y componentes de grafito utilizados en procesos epitaxiales de GaN / AlN / AlGaN. Nuestro proceso de limpieza patentado elimina completamente el efecto de memoria de la superficie, restaura el flujo de gas estable en el reactor y protege estrictamente el recubrimiento CVD SiC de 100 µm con cero pérdida absoluta de espesor y cero residuos de metal.

El susceptor de grafito recubierto de SiC CVD VETEK para portador de obleas es un componente de soporte de obleas de alto rendimiento diseñado para procesos de epitaxia de semiconductores. El producto utiliza grafito de alta pureza como sustrato y está recubierto con una capa uniforme de carburo de silicio (SiC) CVD, lo que proporciona una excelente estabilidad térmica, resistencia química y control de partículas. Como componente crítico susceptor de grafito, soporta directamente las obleas dentro de la cámara de reacción y ayuda a mantener una distribución uniforme de la temperatura y condiciones estables de crecimiento epitaxial.

VeTek Semiconductor ofrece polvo de carburo de silicio (SiC) de alta pureza de primera calidad diseñado específicamente para el crecimiento de cristales de SiC (proceso PVT) de alto rendimiento, la producción de sustratos semiconductores y cerámicas funcionales avanzadas. Procesada mediante tecnología de purificación ultralimpia, nuestra materia prima de SiC de alta pureza proporciona niveles de trazas de metales excepcionalmente bajos, rendimiento de sublimación reproducible y calidad altamente consistente entre lotes para cumplir con los rigurosos requisitos de fabricación de semiconductores.