Materia prima de SiC CVD de alta pureza 7N

1. Factores básicos de rendimiento

• Pureza de grado 7N: Mantenemos una pureza constante del 99,99999% (7N), manteniendo las impurezas metálicas en niveles de ppb. Esto es esencial para cultivar cristales semiaislantes de alta resistividad (HPSI) y garantizar cero contaminación en aplicaciones de energía o RF.
• Estabilidad estructural versus polvo C: A diferencia de los polvos tradicionales que tienden a colapsar o liberar finos durante la sublimación, nuestro material a granel CVD de grano grande permanece estructuralmente estable. Esto evita la migración del polvo de carbono (polvo de C) a la zona de crecimiento, la principal causa de inclusiones de cristales y defectos de microtubos.
• Cinética de crecimiento optimizada: Diseñada para la fabricación a escala industrial, esta fuente admite tasas de crecimiento de hasta 1,46 mm/h. Esto representa una mejora de 2 a 3 veces con respecto a los 0,3 a 0,8 mm/h que normalmente se logran con los métodos convencionales a base de polvo.
• Gestión del gradiente térmico: La alta densidad aparente y la geometría específica de nuestros bloques crean un gradiente de temperatura más agresivo dentro del crisol. Esto promueve una liberación equilibrada de vapores de silicio y carbono, mitigando las fluctuaciones "rico en Si temprano / rico en C tarde" que afectan a los procesos estándar.
• Optimización de carga del crisol: Nuestro material permite un aumento de más de 2 kg en la capacidad de carga para crisoles de 8 pulgadas en comparación con los métodos en polvo. Esto permite el crecimiento de lingotes más largos por ciclo, mejorando directamente la tasa de rendimiento de postproducción hasta el 100%.

1. Especificaciones técnicas

Comparación: polvo tradicional versus VETEK CVD a granel