Polvo de carburo de silicio ultra puro para el crecimiento de cristales

Como fabricante profesional, Vetek Semiconductor le gustaría proporcionarle polvo de carburo de silicio ultra puro de alta calidad para el crecimiento de los cristales.

Vetek Semiconductor se especializa en proporcionar polvo de carburo de silicio ultra puro para el crecimiento de los cristales con diferentes niveles de pureza. Contáctenos hoy para obtener más información y recibir una cotización. Eleve su investigación y desarrollo de semiconductores con los productos de alta calidad de Vetek Semiconductor.

El polvo de carburo de silicio ultra puro vetek semiconductor para el crecimiento del cristal se prepara utilizando un método de reacción de fase sólida de alta temperatura, utilizando polvo de silicio de alta pureza y polvo de carbono de alta pureza como materias primas. Con una pureza de hasta 99.999% en peso y niveles de impureza extremadamente bajos de nitrógeno, boro, aluminio y otros contaminantes, está específicamente diseñado para mejorar las propiedades semi-aislantes del carburo de silicio de alta pureza.

La pureza de nuestro polvo de carburo de silicio de grado semiconductores alcanza un impresionante 99.999%, lo que lo convierte en una excelente materia prima para la producción de cristales individuales de carburo de silicio. Lo que distingue a nuestro producto de otros en el mercado es su característica notable del crecimiento de cristales de alta velocidad. Con las tasas de crecimiento de cristales que alcanzan 0.2-0.3 mm/h, reduce significativamente el tiempo de crecimiento del cristal y reduce los costos generales de producción.

La calidad del polvo de carburo de silicio es crucial para lograr un alto rendimiento del crecimiento del cristal y requiere procesos de fabricación precisos. Nuestra tecnología implica la separación térmica en diferentes etapas para eliminar las impurezas de propiedades variables, lo que resulta en polvo de carburo de silicio semi-aislante de alta pureza con bajo contenido de nitrógeno. Al procesar aún más el polvo en gránulos y utilizar técnicas de ciclo térmico, cumplimos con los requisitos de crecimiento dimensional de los cristales de carburo de silicio. Esta tecnología tiene como objetivo mejorar las capacidades de investigación de semiconductores avanzados nacionales, mejorar la autosuficiencia material, abordar los monopolios internacionales y reducir los costos de fabricación en la industria de semiconductores de carburo de silicio doméstico, que finalmente eleva su competitividad global.

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