Servicios y recursos

Control de calidad y logística

Hemos establecido un sistema de inspección de control de proceso completo que abarca productos entrantes → en proceso → productos terminados, lo que garantiza que los productos cumplan con los estrictos requisitos de calidad de semiconductores en cuanto a dimensiones, pureza, condición de la superficie y consistencia.

Puertas de control de calidad de tres niveles:

  • IQC (Control de calidad entrante):Inspección entrante de grafito, SiC y otros sustratos, incluida la densidad, el contenido de impurezas (análisis GDMS), el tamaño de grano y las propiedades térmicas. Las materias primas no conformes se rechazan estrictamente.
  • IPQC (Control de calidad en proceso):Monitoreo del 100% de dimensiones críticas durante el mecanizado de precisión CNC; Seguimiento en tiempo real de parámetros críticos como la temperatura del horno, la presión y el flujo de gas durante la deposición de CVD.
  • OQC (Control de calidad saliente):Inspección final de precisión dimensional y geométrica por CMM; escaneo multipunto del espesor de la película y evaluación de la uniformidad; análisis de pureza del recubrimiento y micromorfología mediante SEM, XRD, etc. Cada envío va acompañado de un informe CoA completo con un número de serie único.

Embalaje y logística:

  • Después de una limpieza profesional y un tratamiento de agua ultrapura, el envasado al vacío/nitrógeno de doble capa se realiza en un entorno limpio de Clase 100.
  • Las cajas exteriores personalizadas a prueba de golpes y humedad garantizan que no haya impactos ni daños por humedad durante el transporte internacional de larga distancia.
  • Cada producto está vinculado a un código de trazabilidad único que respalda el seguimiento de datos del ciclo de vida completo, desde el lote de materia prima hasta el envío de productos terminados.

Respaldo de confianza del cliente (confiabilidad):

Nuestro sistema de trazabilidad de proceso completo ha pasado la norma ISO 9001:2015, así como rigurosas auditorías in situ realizadas por fabricantes de equipos semiconductores de renombre mundial. Actualmente entregamos componentes recubiertos de alta precisión de manera estable todos los meses a [indique el número] clientes en todo el mundo, por un total de [indique el número] piezas, sin quejas de clientes causadas por daños en el embalaje o la logística.

Semiconductor-Grade Vacuum Packaging SOP Production Process Flow Chart

Diagrama de flujo del proceso de producción y procedimientos operativos estándar de envasado al vacío de grado semiconductor

Preguntas frecuentes

1. P: ¿Cómo debo elegir entre el recubrimiento CVD SiC y el recubrimiento CVD TaC?

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A:Observe la temperatura de su proceso y la intensidad de la corrosión en fase gaseosa. Si la temperatura del proceso es inferior a 1000 °C y se trata principalmente de grabado a base de Cl₂/F₂ o epitaxia convencional, elijaCVD SiCpara obtener la mejor rentabilidad; Si la temperatura del proceso excede los 1200 °C y involucra atmósferas fuertemente corrosivas (por ejemplo, crecimiento monocristalino de SiC PVT), recomendamosTaC en materia de CVD, que ofrece una resistencia superior a la temperatura y la corrosión. Podemos proporcionar un informe de recomendación de selección gratuito basado en los parámetros de su proceso específicos.

2. P: ¿Admiten la creación de prototipos de una sola pieza o de lotes pequeños? ¿Cuál es el plazo de entrega?

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A:¡Sí! Para prototipos de ingeniería inversa,MOQ es 1 pieza. Para piezas simples convencionales, desde la recepción de la muestra hasta la entrega de la pieza mapeada, el tiempo de entrega más rápido es de aproximadamente10 a 15 días laborables; para piezas que involucran procesos de recubrimiento complejos es aproximadamente20-25 días laborables. Póngase en contacto con nuestros ingenieros para una evaluación acelerada.

3. P: ¿Qué causa la delaminación del recubrimiento CVD en piezas de grafito durante el uso? ¿Se puede solucionar?

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A:El 90% de los casos de delaminación se deben a una falta de coincidencia entre el coeficiente de expansión térmica (CTE) del sustrato de grafito y el recubrimiento, lo que provoca un desprendimiento por fatiga bajo un rápido calentamiento/enfriamiento. Nuestra solución: primero mida con precisión la curva CTE de su pieza original, luego ajuste especialmente la densidad del sustrato y el gradiente de temperatura de deposición para que los dos CTE coincidan altamente. La fuerza de unión se puede mejorar a más de1,5 vecesel nivel convencional de la industria.

4. P: ¿Puede proporcionar un CoA (Certificado de análisis) para los productos? ¿Qué datos incluye?

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A:Cada producto enviado viene de serie con unnúmero de serie único + informe CoA completo. El informe incluye: datos de inspección de CMM de dimensiones críticas, mapa de distribución de espesor de recubrimiento multipunto, valores de rugosidad de la superficie (Ra) y conclusiones del análisis de pureza del material (GDMS).

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Teléfono: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(sueros)

Correo electrónico: anny@veteksemi.com

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