Servicio de soporte

VeTek Semiconductor suministra obleas y sustratos monocristalinos de nitruro de aluminio (AlN) de alta calidad para dispositivos semiconductores de banda prohibida ultra ancha de próxima generación. Con una banda prohibida ultra amplia de aproximadamente 6,2 eV, una excelente conductividad térmica, un aislamiento eléctrico excepcional y una excelente combinación de red y expansión térmica con GaN, las obleas de AlN son ideales para dispositivos de RF de alta potencia, electrónica de potencia de alto voltaje y optoelectrónica ultravioleta profunda (DUV).

El servicio de limpieza profesional VETEK para piezas de grafito recubiertas de CVD SiC es un servicio técnico especializado diseñado para susceptores de equipos MOCVD de Aixtron / Veeco y componentes de grafito utilizados en procesos epitaxiales de GaN / AlN / AlGaN. Nuestro proceso de limpieza patentado elimina completamente el efecto de memoria de la superficie, restaura el flujo de gas estable en el reactor y protege estrictamente el recubrimiento CVD SiC de 100 µm con cero pérdida absoluta de espesor y cero residuos de metal.

A medida que crece la demanda de transductores MEMS de alta sensibilidad y baja potencia con la expansión de las comunicaciones 5G, los dispositivos médicos de precisión y los dispositivos portátiles inteligentes, nuestros PZT en obleas de Si/SOI proporcionan una solución de material fundamental. Utilizando procesos avanzados de deposición de películas delgadas, como Sol-gel o pulverización catódica, logramos una consistencia excepcional y un rendimiento piezoeléctrico superior en sustratos de silicio. Estas obleas sirven como núcleo fundamental para la conversión de energía electromecánica.

El crecimiento de cristales de carburo de silicio es un proceso central en la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. La estabilidad, precisión y compatibilidad de los equipos de crecimiento de cristales determinan directamente la calidad y el rendimiento de los lingotes de carburo de silicio. Basándose en las características de la tecnología de transporte físico de vapor (PVT), Veteksemi ha desarrollado un horno de calentamiento por resistencia para el crecimiento de cristales de carburo de silicio, lo que permite un crecimiento estable de cristales de carburo de silicio de 6, 8 y 12 pulgadas con total compatibilidad con sistemas de materiales conductores, semiaislantes y de tipo N. Mediante un control preciso de la temperatura, la presión y la potencia, reduce eficazmente los defectos del cristal como EPD (densidad de picadura) y BPD (dislocación del plano basal), al tiempo que presenta un bajo consumo de energía y un diseño compacto para cumplir con los altos estándares de la producción industrial a gran escala.

La lechada de pulido CMP (lechada de pulido mecánico químico) es un material de alto rendimiento que se utiliza en la fabricación de semiconductores y en el procesamiento de materiales de precisión. Su función principal es lograr una fina planitud y pulido de la superficie del material bajo el efecto sinérgico de la corrosión química y el esmerilado mecánico para cumplir con los requisitos de planitud y calidad de la superficie a nivel nano. Esperamos su consulta adicional.

Como fabricantes y proveedores líderes chinos de obleas SIC, Vetek Semiconductor CVD Sic Coating Dummy Wafer es una herramienta especializada en la fabricación de semiconductores, utilizada principalmente para el propósito de pruebas de obleas de silicio y proceso de prueba de obleas. Sus nuevas consultas son bienvenidas.