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Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China
Seleccionar la combinación adecuada de sustrato y recubrimiento es la clave para prevenir fallas prematuras de los componentes, reducir la contaminación por partículas y maximizar el rendimiento de las obleas. Proporcionamos soluciones de diseño estructural y de materiales a medida según la ventana de proceso específica del cliente (temperatura de funcionamiento, química del gas reactivo, velocidades de rampa).
| Revestimiento | Direcciones de aplicación típicas | Ventajas principales |
|---|---|---|
| CVD SiC | Epitaxia Si/SiC (Epi), MOCVD, grabado parcial con plasma | Alta pureza, buena estabilidad térmica, resistencia a la corrosión química, alto costo-rendimiento general |
| TaC en materia de CVD | Crecimiento monocristalino (PVT) de SiC a alta temperatura, componentes que soportan cargas a temperaturas extremadamente altas | Clasificación de temperatura más alta (>1600 °C), fuerte resistencia a la corrosión, excelente resistencia a la oxidación |
Un fabricante líder de epitaxia de SiC (Epi):El componente original utilizaba un recubrimiento CVD TaC que no coincidía, lo que provocaba una tensión interfacial excesiva y frecuentes microfisuras a alta temperatura. Volvimos a ejecutar simulaciones termodinámicas y cambiamos a unSustrato de grafito especial de alta pureza compatible con CTE + capa amortiguadora + revestimiento CVD SiCsolución. Resultado: la vida útil promedio de los componentes aumentó de 200 horas a 850 horas; la frecuencia de reemplazo anual por herramienta se redujo de 40 a 9 veces; Los ahorros integrales en costos de operación y mantenimiento de equipos superaron los 650 000 RMB por año.
Informe de análisis de pureza GDMS para recubrimientos de TaC y SiC
A:Observe la temperatura de su proceso y la intensidad de la corrosión en fase gaseosa. Si la temperatura del proceso es inferior a 1000 °C y se trata principalmente de grabado a base de Cl₂/F₂ o epitaxia convencional, elijaCVD SiCpara obtener la mejor rentabilidad; Si la temperatura del proceso excede los 1200 °C y involucra atmósferas fuertemente corrosivas (por ejemplo, crecimiento monocristalino de SiC PVT), recomendamosTaC en materia de CVD, que ofrece una resistencia superior a la temperatura y la corrosión. Podemos proporcionar un informe de recomendación de selección gratuito basado en los parámetros de su proceso específicos.
A:¡Sí! Para prototipos de ingeniería inversa,MOQ es 1 pieza. Para piezas simples convencionales, desde la recepción de la muestra hasta la entrega de la pieza mapeada, el tiempo de entrega más rápido es de aproximadamente10 a 15 días laborables; para piezas que involucran procesos de recubrimiento complejos es aproximadamente20-25 días laborables. Póngase en contacto con nuestros ingenieros para una evaluación acelerada.
A:El 90% de los casos de delaminación se deben a una falta de coincidencia entre el coeficiente de expansión térmica (CTE) del sustrato de grafito y el recubrimiento, lo que provoca un desprendimiento por fatiga bajo un rápido calentamiento/enfriamiento. Nuestra solución: primero mida con precisión la curva CTE de su pieza original, luego ajuste especialmente la densidad del sustrato y el gradiente de temperatura de deposición para que los dos CTE coincidan altamente. La fuerza de unión se puede mejorar a más de1,5 vecesel nivel convencional de la industria.
A:Cada producto enviado viene de serie con unnúmero de serie único + informe CoA completo. El informe incluye: datos de inspección de CMM de dimensiones críticas, mapa de distribución de espesor de recubrimiento multipunto, valores de rugosidad de la superficie (Ra) y conclusiones del análisis de pureza del material (GDMS).
Teléfono: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(sueros)
Correo electrónico: anny@veteksemi.com