El sustrato de oblea es una oblea hecha de material monocristalino semiconductor. El sustrato puede ingresar directamente al proceso de fabricación de obleas para producir dispositivos semiconductores, o puede procesarse mediante un proceso epitaxial para producir obleas epitaxiales.
El sustrato de oblea, como estructura de soporte básica de los dispositivos semiconductores, afecta directamente el rendimiento y la estabilidad de los dispositivos. Como "base" para la fabricación de dispositivos semiconductores, es necesario llevar a cabo sobre el sustrato una serie de procesos de fabricación, como el crecimiento de películas finas y la litografía.
Resumen de tipos de sustrato
- Oblea de silicio monocristalino: actualmente el material de sustrato más común, ampliamente utilizado en la fabricación de circuitos integrados (CI), microprocesadores, memorias, dispositivos MEMS, dispositivos de potencia, etc.;
- Sustrato SOI: utilizado para circuitos integrados de alto rendimiento y baja potencia, como circuitos analógicos y digitales de alta frecuencia, dispositivos RF y chips de administración de energía;
- Sustratos semiconductores compuestos: Sustrato de arseniuro de galio (GaAs): dispositivos de comunicación por microondas y ondas milimétricas, etc. Sustrato de nitruro de galio (GaN): utilizado para amplificadores de potencia de RF, HEMT, etc. Sustrato de carburo de silicio (SiC): utilizado para vehículos eléctricos, convertidores de potencia y otros dispositivos de potencia Sustrato de fosfuro de indio (InP): utilizado para láseres, fotodetectores, etc.;
- Sustrato de zafiro: utilizado para la fabricación de LED, RFIC (circuito integrado de radiofrecuencia), etc.;
Vetek Semiconductor es un proveedor profesional de sustratos de SiC y sustratos SOI en China. Nuestro sustrato de SiC de tipo semiaislante 4H y el sustrato de SiC de tipo semiaislante 4H se utilizan ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores.
Vetek Semiconductor se compromete a proporcionar productos de sustrato de oblea avanzados y personalizables y soluciones técnicas de diversas especificaciones para la industria de semiconductores. Esperamos sinceramente convertirnos en su proveedor en China.
Características clave
- Proveedor profesional de sustratos de SiC (tipo 4H N y semiaislante) y sustratos SOI para aplicaciones de energía, RF y IC avanzadas.
- Amplia cartera de sustratos que cubre silicio, semiconductores compuestos (SiC, GaN, GaAs, InP), zafiro y obleas especializadas (PZT, SiN, obleas ficticias).
- Alta calidad del material y consistencia del proceso, adecuados para el crecimiento epitaxial, la fabricación de dispositivos y el control de procesos de equipos.
- Especificaciones personalizables y soluciones técnicas adaptadas a los diferentes requisitos de fabricación de semiconductores.
- Suministro confiable con sede en China con soporte de ingeniería de aplicaciones para dispositivos de energía, MEMS, LED, RF y herramientas de proceso térmico.
Categorías de productos
- Sustratos de SiC: obleas de SiC semiaislantes y tipo 4H N para dispositivos de potencia y aplicaciones de RF
- Sustratos SOI: obleas de silicio sobre aislante para circuitos integrados y dispositivos de RF de alto rendimiento y baja potencia
- Obleas de especialidad/proceso: obleas simuladas recubiertas de SiC CVD, sustratos de SiN, obleas piezoeléctricas PZT en Si/SOI
- Otros sustratos compuestos/zafiro: compatibles con aplicaciones LED, RF y optoelectrónicas (como se indica en la descripción general)
Aplicaciones
Para satisfacer las diversas necesidades de la fabricación de semiconductores, VeTek ofrece productos de sustrato de oblea específicos. La siguiente tabla los clasifica por principales áreas de aplicación:
| Campo de aplicación |
Productos típicos |
Descripción de la aplicación |
| Dispositivos eléctricos y vehículos eléctricos |
Sustratos 4H-SiC (tipo N / semiaislante) |
Sustratos de carburo de silicio para convertidores de potencia, vehículos eléctricos y dispositivos de potencia de alto voltaje que requieren alta temperatura y un rendimiento de alta eficiencia. |
| Circuitos integrados de RF/alta frecuencia |
Sustratos SOI, sustratos relacionados con GaN/GaAs, SiC semiaislante |
Sustratos de alto rendimiento y bajo consumo para dispositivos de RF, amplificadores de potencia, HEMT y circuitos analógicos/digitales de alta frecuencia. |
| MEMS y sensores |
Obleas piezoeléctricas PZT (PZT sobre Si/SOI), sustratos de SiN |
Sustratos piezoeléctricos y de alta resistencia para transductores MEMS, sensores, 5G, dispositivos médicos y portátiles que requieren conversión electromecánica. |
| Control y pruebas de procesos |
Recubrimiento CVD SiC Oblea simulada |
Obleas ficticias y de prueba para calificación de equipos, monitoreo de procesos y control de contaminación en líneas de fabricación de semiconductores. |
| LED / Optoelectrónica |
Sustratos de zafiro, sustratos semiconductores compuestos (InP, etc.) |
Sustratos para fabricación de LED, láseres, fotodetectores y aplicaciones RFIC que requieren rendimiento óptico y de alta frecuencia. |
| IC/lógica y memoria avanzados |
Obleas de silicio monocristalino, sustratos SOI |
Sustratos convencionales y avanzados para circuitos integrados, microprocesadores, memorias y chips de administración de energía. |
Para obtener soluciones de coincidencia de procesos más detalladas, consulte laEpitaxia de carburo de silicioyEpitaxia de siliciopáginas relacionadas.
Como fabricante y proveedor profesional de obleas en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar obleas avanzadas y duraderas fabricadas en China, puededéjanos un mensaje.
