Silicio sobre oblea aislante

El principio de funcionamiento deEs semiconductor'sSilicio sobre oblea aislantese basa principalmente en su estructura única y propiedades del material. Y Soi WaferConsiste en tres capas: la capa superior es una capa de dispositivo de silicio de cristal único, el medio es una capa aislante de óxido enterrado (caja) y la capa inferior es un sustrato de silicio que soporta.

La estructura del silicio en obleas aislantes (SOI)

Formación de la capa de aislamiento: Silicon on Aislator Wafer generalmente se fabrica utilizando tecnología Smart Cut ™ o Tecnología SIMOX (separación por oxígeno implantado). La tecnología Smart Cut ™ inyecta iones de hidrógeno en la oblea de silicio para formar una capa de burbujas, y luego une la oblea inyectada por hidrógeno a la silicio de soporteoblea. 

Después del tratamiento térmico, la oblea inyectada por hidrógeno se divide de la capa de burbujas para formar una estructura SOI.Tecnología SimoxImplanta iones de oxígeno de alta energía en obleas de silicio para formar una capa de óxido de silicio a altas temperaturas.

Reducir la capacitancia parásita: La capa de caja delOblea de carburo de silicioaísla efectivamente la capa del dispositivo y el silicio base, reduciendo significativamenteG Capacitancia parásita. Este aislamiento reduce el consumo de energía y aumenta la velocidad y el rendimiento del dispositivo.

Evite los efectos de enganche: Los dispositivos N-Well y P-Well en elSoi Waferestán completamente aislados, evitando el efecto de enganche en las estructuras CMOS tradicionales. Esto permiteoblea de soi para ser fabricado a velocidades más altas.

Función de parada de grabado: Elcapa de dispositivo de silicio de cristal únicoy la estructura de la capa de caja de la oblea SOI facilita la fabricación de MEMS y dispositivos optoelectrónicos, proporcionando una excelente función de parada de grabado.

A través de estas características,Silicio sobre oblea aislantedesempeña un papel importante en el procesamiento de semiconductores y promueve el desarrollo continuo del circuito integrado (IC) ySistemas microelectromecánicos (MEMS)industrias. Esperamos sinceramente una mayor comunicación y cooperación con usted.

El parámetro de especificación SOL Wafers de 200 mm:

Silicon on Aisator Wafers Productions: