Productos

Proceso de epitaxia de SiC

Los exclusivos recubrimientos de carburo de VeTek Semiconductor brindan una protección superior para las piezas de grafito en el proceso de epitaxia de SiC para el procesamiento de materiales semiconductores y semiconductores compuestos exigentes. El resultado es una vida útil prolongada de los componentes de grafito, la preservación de la estequiometría de la reacción, la inhibición de la migración de impurezas a aplicaciones de epitaxia y crecimiento de cristales, lo que resulta en un mayor rendimiento y calidad.


Nuestros recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) protegen los componentes críticos de hornos y reactores a altas temperaturas (hasta 2200 °C) del amoníaco caliente, el hidrógeno, los vapores de silicio y los metales fundidos. VeTek Semiconductor tiene una amplia gama de capacidades de medición y procesamiento de grafito para satisfacer sus requisitos personalizados, por lo que podemos ofrecer un recubrimiento de pago o un servicio completo, con nuestro equipo de ingenieros expertos listos para diseñar la solución adecuada para usted y su aplicación específica. .


Cristales semiconductores compuestos

VeTek Semiconductor puede proporcionar recubrimientos TaC especiales para diversos componentes y soportes. A través del proceso de recubrimiento líder en la industria de VeTek Semiconductor, el recubrimiento TaC puede obtener alta pureza, estabilidad a altas temperaturas y alta resistencia química, mejorando así la calidad del producto de las capas cristalinas de TaC/GaN) y EPl, y extendiendo la vida útil de los componentes críticos del reactor.


Aisladores térmicos

Componentes de crecimiento de cristales de SiC, GaN y AlN, incluidos crisoles, portasemillas, deflectores y filtros. Conjuntos industriales que incluyen elementos calefactores resistivos, boquillas, anillos de protección y accesorios de soldadura fuerte, componentes del reactor CVD epitaxial de GaN y SiC, incluidos portadores de obleas, bandejas satélite, cabezales de ducha, tapas y pedestales, componentes MOCVD.


Objetivo:

 ● Portador de oblea LED (diodo emisor de luz)

● Receptor ALD (Semiconductor)

● Receptor EPI (proceso de epitaxia de SiC)


Comparación del recubrimiento de SiC y el recubrimiento de TaC:

Sic TaC
Características principales Pureza ultraalta, excelente resistencia al plasma Excelente estabilidad a altas temperaturas (conformidad con el proceso a altas temperaturas)
Pureza >99,9999% >99,9999%
Densidad (g/cm3) 3.21 15
Dureza (kg/mm2) 2900-3300 6.7-7.2
Resistividad [Ωcm] 0,1-15.000 <1
Conductividad térmica (W/m-K) 200-360 22
Coeficiente de expansión térmica(10-6/℃) 4.5-5 6.3
Solicitud Plantilla de cerámica para equipos semiconductores (anillo de enfoque, cabezal de ducha, oblea simulada) Piezas de equipos de crecimiento monocristalino de SiC, Epi, LED UV


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Anillo de guía de tres pétal recubierto de TAC CVD TAC

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Vetek Semiconductor ha experimentado muchos años de desarrollo tecnológico y ha dominado la tecnología de proceso líder del recubrimiento CVD TAC. El anillo de guía de tres pétal recubierto de CVD TAC es uno de los productos de recubrimiento CVD TAC más maduros de Vetek Semiconductor y es un componente importante para preparar cristales SIC mediante el método PVT. Con la ayuda del semiconductor Vetek, creo que su producción de cristal SIC será más suave y eficiente.
Grafito poroso recubierto de carburo tantalum

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El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio es un producto indispensable en el proceso de procesamiento de semiconductores, especialmente en el proceso de crecimiento de cristales SIC. Después de una continua inversión en I+D y actualizaciones tecnológicas, la calidad del producto de grafito poroso recubierto de TaC de VeTek Semiconductor ha recibido grandes elogios de los clientes europeos y americanos. Bienvenido a su consulta adicional.
Susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC

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El susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC es uno de los componentes centrales del reactor planetario MOCVD. A través del susceptor epitaxial planetario de SiC con recubrimiento CVD TaC, el disco grande orbita y el disco pequeño gira, y el modelo de flujo horizontal se extiende a máquinas de múltiples chips, de modo que tiene tanto la gestión de uniformidad de longitud de onda epitaxial de alta calidad como la optimización de defectos de un solo Máquinas de chips y las ventajas de costos de producción de las máquinas de chips múltiples. VeTek Semiconductor puede proporcionar a los clientes un susceptor epitaxial planetario de SiC con recubrimiento CVD TaC altamente personalizado. Si también quieres fabricar un horno MOCVD planetario como Aixtron, ¡ven a nosotros!
Gan Epitaxy Undertaker

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Vetek Semiconductor es una empresa china que es un fabricante de clase mundial y proveedor de susceptor de epitaxia GaN. Hemos estado trabajando en la industria de semiconductores, como recubrimientos de carburo de silicio y susceptor de epitaxia GaN durante mucho tiempo. Podemos proporcionarle excelentes productos y precios favorables. Vetek Semiconductor espera convertirse en su socio a largo plazo.
Susceptor de obleas recubiertas de TAC

Susceptor de obleas recubiertas de TAC

El susceptor de obleas con recubrimiento de Tac Semiconductor Vetek es una bandeja de grafito recubierta de carburo tantalum para el crecimiento epitaxial de carburo de silicio para mejorar la calidad y el rendimiento de la oblea. Vetek se selecciona debido a su tecnología de recubrimiento avanzada y sus soluciones duraderas para garantizar excelentes resultados de epitaxia de SIC y la vida extendida de susceptores, dan la bienvenida a sus consultas adicionales.
Anillos de guía de recubrimiento TAC

Anillos de guía de recubrimiento TAC

Como fabricante líder de productos de anillos de guía de recubrimiento TAC en China, los anillos de guía recubiertos de TAC de semiconductores Vetek son componentes importantes en los equipos de MOCVD, asegurando la entrega precisa y estable de gas durante el crecimiento epitaxial, y son un material indispensable en el crecimiento epitaxial semiconductor. Bienvenido para consultarnos.
Como fabricante y proveedor profesional Proceso de epitaxia de SiC en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar Proceso de epitaxia de SiC avanzado y duradero realizados en China, puede dejarnos un mensaje.
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