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Anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC
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Anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

Vetek Semiconductor es un fabricante líder e innovador tecnológico del anillo recubierto de TAC para el reactor epitaxial SIC en China, centrándose en proporcionar soluciones de alto rendimiento para reactores epitaxiales SIC. Tenemos muchos años de experiencia en tecnología de recubrimiento TAC. El anillo recubierto de TAC tiene las características de alta pureza, alta estabilidad, excelente resistencia a la corrosión, etc., y puede proporcionar un rendimiento estable a largo plazo en el duro entorno de trabajo de los reactores epitaxiales. Esperamos establecer una asociación estratégica a largo plazo con usted.

Introducción del producto del anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

Vetek Semiconductor es una compañía reconocida con sede en China, conocida por su experiencia en la fabricación de recubrimientos TAC y SIC de alta calidad, así como un anillo recubierto de TAC de alta pureza para el reactor epitaxial SIC. Nos enorgullece ofrecer productos superiores a precios competitivos. Lo invitamos calurosamente a comunicarse con nosotros y descubrir las soluciones excepcionales que proporcionamos.

Nuestros anillos recubiertos de TAC para reactores epitaxiales SIC juegan un papel crucial. Estos anillos son una parte integral de nuestro conjunto de media luna, que ofrecen funciones esenciales como soporte de sustrato, control de temperatura preciso, aislamiento de calor efectivo, ventilación eficiente y protección confiable. Al trabajar armoniosamente, estos anillos aseguran un control meticuloso sobre el grosor, el dopaje y las características de defectos de la capa epitaxial SIC cultivada dentro de la cámara de reacción.

Además de nuestros excepcionales anillos recubiertos de TaC, VeTek Semiconductor ofrece una amplia gama de productos relacionados diseñados específicamente para cámaras de reacción. Nuestra línea de productos incluye medias lunas superior e inferior, cubiertas protectoras, cubiertas aislantes e interfaces de desviación de aire de proceso. Cada uno de estos componentes se somete a un meticuloso recubrimiento de SiC o TaC para mejorar el rendimiento y extender su vida útil.


Parámetro del producto del anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad 14,3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6,3×10-6/K
Dureza (HK) 2000 HK
Resistencia 1 × 10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica <2500 ℃
Cambios de tamaño de grafito -10 ~ -20um
Espesor del revestimiento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


Taller de producción de semiconductores VeTek:

VeTek Semiconductor Production Shop


Descripción general de la cadena industrial de la epitaxia de chip de semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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