Mapeo de muestra

A partir de la muestra física proporcionada por el cliente (incluso si se trata de una pieza usada desgastada o fracturada), ofrecemos un servicio de espectro completo que abarca desde la ingeniería inversa de la estructura física hasta la caracterización fisicoquímica a nivel de material. Aprovechando los equipos de inspección de alta precisión de grado semiconductor, cuantificamos con precisión estructuras geométricas 3D complejas, propiedades de interfaz de recubrimiento/sustrato y parámetros físicos del material, asegurando que el producto de ingeniería inversa cumpla o supera los estándares OEM en cuanto a ajuste físico, compatibilidad de procesos y vida útil (reemplazo de forma, ajuste y función).

Qué medimos (entregables técnicos):

• Tolerancias dimensionales y geométricas:Utilizando máquinas de medición de coordenadas (CMM) de alta precisión y escáneres ópticos 3D, realizamos modelado y reconstrucción de nubes de puntos de tamaño completo de estructuras de cavidades complejas y orificios de montaje/ubicación, logrando una precisión a nivel de micras.
• Micromorfología y planitud de la superficie:Emplear interferómetros de luz blanca y perfilómetros ópticos para evaluar la rugosidad de la superficie (Ra) a escala nanométrica y la planitud de áreas grandes, cumpliendo con los requisitos de manipulación de obleas y sellado de cámaras.
• Microcaracterísticas de borde:Mapeo con gran aumento de los radios R de los bordes y los microperfiles de chaflán para optimizar la morfología de ascenso del recubrimiento y evitar la concentración de tensión en las esquinas afiladas que pueden causar delaminación a alta temperatura.
• Sustrato de grafito y análisis de coincidencia térmica:Evaluación de la densidad del sustrato de grafito de alta pureza, el tamaño de grano y el coeficiente de expansión térmica (CTE) para garantizar la coincidencia de tensión térmica entre el sustrato y el recubrimiento CVD.
• Calidad de unión de la interfaz y la sección transversal del recubrimiento:Análisis SEM de sección transversal metalográfica y XRF no destructivo para medir el espesor absoluto, la uniformidad radial del recubrimiento CVD y la profundidad de penetración de la interfaz.
• Estructura de fases y análisis de microcristales:Evaluación XRD de la pureza de la fase cúbica (β-SiC) de CVD SiC; Evaluación cualitativa de la estequiometría química y las características de la estructura cristalina de CVD TaC.

Caso real y beneficios para el cliente (experiencia):

Un cliente de componentes de grabado de semiconductores de 12 pulgadas:Se interrumpió el suministro de OEM; Sólo había disponible una pieza usada desgastada. A través del modelado inverso de CMM + análisis de la sección transversal del recubrimiento SEM, completamos el desarrollo de piezas sustitutas y las pruebas en la herramienta en 2 meses sin ningún dibujo original, logrando un ajuste de instalación del 100 %. En última instancia, el ciclo de adquisición de componentes se redujo del plazo de importación original de seis meses a dos meses, el costo unitario de adquisición se redujo en un 42 % y este modelo se ha suministrado de manera estable para más de 30 lotes.

Recubrimiento de carburo de silicio (SiC) en la sección transversal del recubrimiento SEM

Preguntas frecuentes

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