Grafito poroso

Los productores de sustratos de SiC suelen utilizar un diseño de crisol con un cilindro de grafito poroso para el proceso de campo caliente. Este diseño aumenta el área de evaporación y el volumen de carga. Se ha desarrollado un nuevo proceso para abordar los defectos del cristal, estabilizar la transferencia de masa y mejorar la calidad del cristal de SiC. Incorpora un método de fijación de bandeja de cristal sin semillas para expansión térmica y alivio de tensiones. Sin embargo, la oferta limitada en el mercado de grafito crisol y grafito poroso plantea desafíos para la calidad y el rendimiento de los monocristales de SiC.

Características clave del grafito poroso semiconductor VeTek:

1. Tolerancia ambiental a altas temperaturas: el producto puede soportar una temperatura ambiente de 2500 grados Celsius, lo que demuestra una excelente resistencia al calor.

2.Control estricto de la porosidad: VeTek Semiconductor mantiene un estricto control de la porosidad, lo que garantiza un rendimiento constante.

3. Pureza ultraalta: el material de grafito poroso utilizado logra un alto nivel de pureza a través de rigurosos procesos de purificación.

4.Excelente capacidad de unión de partículas superficiales: VeTek Semiconductor tiene una excelente capacidad de unión de partículas superficiales y resistencia a la adhesión del polvo.

5.Transporte, difusión y uniformidad de gases: la estructura porosa del grafito facilita el transporte y la difusión eficientes de gases, lo que resulta en una mejor uniformidad de gases y partículas.

6.Control de calidad y estabilidad: VeTek Semiconductor enfatiza la alta pureza, el bajo contenido de impurezas y la estabilidad química para garantizar la calidad en el crecimiento de los cristales.

7.Control y uniformidad de la temperatura: la conductividad térmica del grafito poroso permite una distribución uniforme de la temperatura, lo que reduce el estrés y los defectos durante el crecimiento.

8.Difusión de soluto mejorada y tasa de crecimiento: la estructura porosa promueve una distribución uniforme del soluto, mejorando la tasa de crecimiento y la uniformidad de los cristales.