Recubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxia

El susceptor de epitaxia con recubrimiento CVD SiC de Veteksemicon es una herramienta de ingeniería de precisión diseñada para el procesamiento de obleas semiconductoras. Este susceptor de epitaxia de recubrimiento de SiC desempeña un papel vital en la promoción del crecimiento de películas delgadas, epicapas y otros recubrimientos, y puede controlar con precisión la temperatura y las propiedades del material. Bienvenido a sus consultas adicionales.

BásicoPropiedades físicas del recubrimiento CVD SiC:

Ventajas del producto susceptor de epitaxia con recubrimiento CVD SiC:

● Deposición precisa: Susceptor combina un sustrato de grafito altamente conductor térmicamente con un recubrimiento de SiC para proporcionar una plataforma de soporte estable para sustratos (como zafiro, SiC o GaN). Su alta conductividad térmica (como el SiC es de aproximadamente 120 W/m·K) puede transferir calor rápidamente y garantizar una distribución uniforme de la temperatura en la superficie del sustrato, promoviendo así un crecimiento de alta calidad de la capa epitaxial.

● Contaminación reducida: El recubrimiento de SiC preparado mediante el proceso CVD tiene una pureza extremadamente alta (contenido de impurezas <5 ppm) y es altamente resistente a gases corrosivos (como Cl₂, NH₃), evitando la contaminación de la capa epitaxial.

● Durabilidad: La alta dureza del SiC (dureza Mohs 9,5) y su resistencia al desgaste reducen la pérdida mecánica de la base durante el uso repetido y son adecuados para procesos de producción de semiconductores de alta frecuencia.

VeTeksemicon se compromete a ofrecer productos de alta calidad y precios competitivos. Esperamos ser su socio a largo plazo en China.

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