CVD SIC Coating Epitaxy susceptor

El susceptor de epitaxia de recubrimiento SIC de Veteksemicon es una herramienta diseñada con ingeniería de precisión diseñada para el procesamiento de obleas de semiconductores. Este susceptor de epitaxia de recubrimiento SIC juega un papel vital en la promoción del crecimiento de películas delgadas, epilotillas y otros recubrimientos, y puede controlar con precisión la temperatura y las propiedades del material. Dé la bienvenida a sus consultas adicionales.

BásicoPropiedades físicas del recubrimiento SIC CVD:

Ventajas del producto de la epitaxia de recubrimiento SIC CVD: Ventajas del producto:

● Deposición precisa: El susceptor combina un sustrato de grafito altamente conductivo térmicamente con un recubrimiento SIC para proporcionar una plataforma de soporte estable para sustratos (como zafiro, sic o gan). Su alta conductividad térmica (como SIC es de aproximadamente 120 W/M · K) puede transferir rápidamente el calor y garantizar una distribución de temperatura uniforme en la superficie del sustrato, promoviendo así el crecimiento de alta calidad de la capa epitaxial.

● Contaminación reducida: El recubrimiento SIC preparado por el proceso de CVD tiene una pureza extremadamente alta (contenido de impureza <5 ppm) y es altamente resistente a los gases corrosivos (como CL₂, NH₃), evitando la contaminación de la capa epitaxial.

● Durabilidad: La alta dureza de SIC (dureza de Mohs 9.5) y la resistencia al desgaste reducen la pérdida mecánica de la base durante el uso repetido y son adecuados para los procesos de producción de semiconductores de alta frecuencia.

Veteksemicon se compromete a proporcionar productos de alta calidad y precios competitivos. Esperamos ser su socio a largo plazo en China.

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