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Anillo de precalentamiento
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Anillo de precalentamiento

El anillo de precalentamiento se utiliza en el proceso de epitaxia de semiconductores para precalentar las obleas y hacer que la temperatura de las mismas sea más estable y uniforme, lo cual es de gran importancia para el crecimiento de alta calidad de las capas de epitaxia. Vetek Semiconductor controla estrictamente la pureza de este producto para evitar la volatilización de impurezas a altas temperaturas. Bienvenido a tener más conversaciones con nosotros.

El anillo de precalentamiento es un equipo clave diseñado específicamente para el proceso epitaxial (EPI) en la fabricación de semiconductores. Se utiliza para precalentar obleas antes del proceso EPI, asegurando estabilidad de temperatura y uniformidad durante todo el crecimiento epitaxial.


Fabricado por Vetek Semiconductor, nuestro anillo EPI Pre Heat ofrece varias características y ventajas notables. En primer lugar, se construye utilizando materiales de conductividad térmica alta, lo que permite una transferencia de calor rápida y uniforme a la superficie de la oblea. Esto evita la formación de puntos calientes y gradientes de temperatura, asegurando una deposición constante y mejorando la calidad y la uniformidad de la capa epitaxial. Además, nuestro anillo EPI pre calor está equipado con un sistema de control de temperatura avanzado, lo que permite un control preciso y consistente de la temperatura de precalentamiento. Este nivel de control mejora la precisión y la repetibilidad de los pasos cruciales como el crecimiento de cristales, la deposición del material y las reacciones de la interfaz durante el proceso EPI.


La durabilidad y la confiabilidad son aspectos esenciales del diseño de nuestro producto. El anillo de precalentamiento EPI está diseñado para soportar altas temperaturas y presiones operativas, manteniendo la estabilidad y el rendimiento durante períodos prolongados. Este enfoque de diseño reduce los costos de mantenimiento y reemplazo, lo que garantiza confiabilidad y eficiencia operativa a largo plazo. La instalación y el funcionamiento del anillo EPI pre calor son sencillos, ya que es compatible con el equipo EPI común. Cuenta con un mecanismo de colocación y recuperación de obleas fáciles de usar, mejorando la conveniencia y la eficiencia operativa.


En VeTek Semiconductor, también ofrecemos servicios de personalización para cumplir con los requisitos específicos del cliente. Esto incluye adaptar el tamaño, la forma y el rango de temperatura del anillo de precalentamiento EPI para adaptarlo a las necesidades de producción únicas. Para los investigadores y fabricantes involucrados en el crecimiento epitaxial y la producción de dispositivos semiconductores, el anillo de precalentamiento EPI de VeTek Semiconductor proporciona un rendimiento excepcional y un soporte confiable. Sirve como una herramienta fundamental para lograr un crecimiento epitaxial de alta calidad y facilitar procesos eficientes de fabricación de dispositivos semiconductores.


DATOS SEM DE LA PELÍCULA CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad del recubrimiento de SiC 3,21 g/cm³
Dureza de recubrimiento SIC 2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano 2 ~ 10 mm
Pureza química 99,99995%
Capacidad de calor 640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W · m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE) 4.5 × 10-6K-1


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