Susceptores de Aixtron G5 MOCVD

Como fabricante profesional, Vetek Semiconductor le gustaría proporcionarle susceptores MOCVD Aixtron G5 como Epitaxy de Aixtron,  Sic recubiertopiezas de grafito y TAC recubiertoPiezas de grafito. Bienvenido a Invirys.

Aixtron G5 es un sistema de deposición para semiconductores compuestos. AIX G5 MOCVD utiliza una plataforma de reactor planetaria Aixtron probada con un cliente comprobado con un sistema de transferencia de obleas de cartucho totalmente automatizado (C2C). Logró el tamaño de cavidad individual más grande de la industria (8 x 6 pulgadas) y la mayor capacidad de producción. Ofrece configuraciones flexibles de 6 y 4 pulgadas diseñadas para minimizar los costos de producción al tiempo que mantienen una excelente calidad del producto. El sistema CVD planetario de pared cálido se caracteriza por el crecimiento de múltiples placas en un solo horno, y la eficiencia de salida es alta. 

Vetek Semiconductor ofrece un conjunto completo de accesorios para el sistema de susceptores MOCVD Aixtron G5, que consiste en estos accesorios:

1. Módulo de reactor planetario

Orientación de funciones: como el módulo de reactor central de la serie AIX G5, adopta la tecnología planetaria para lograr una alta deposición de material uniforme en las obleas.

Características técnicas:

Uniformidad axisimétrica: el diseño único de rotación planetaria garantiza la distribución ultrauniforme de las superficies de obleas en términos de espesor, composición del material y concentración de dopaje.

Compatibilidad de múltiples obras: admite el procesamiento por lotes de 5 obleas de 200 mm (8 pulgadas) o 8 obleas de 150 mm, aumentando significativamente la productividad.

Optimización de control de temperatura: con bolsas de sustrato personalizables, la temperatura de la oblea se controla con precisión para reducir la flexión de la oblea debido a los gradientes térmicos.

2. Techo (sistema de techo de control de temperatura)

Orientación de la función: como componente de control de temperatura superior de la cámara de reacción, para garantizar la estabilidad y la eficiencia energética del entorno de alta deposición de temperatura.

Características técnicas:

Diseño de flujo de calor bajo: la tecnología de "techo cálido" reduce el flujo de calor en la dirección vertical de la oblea, reduce el riesgo de deformación de la oblea y admite el proceso de nitruro de galio a base de silicio más delgado (Gan-on-Si).

Soporte de limpieza in situ: la función integrada de limpieza in situ reduce el tiempo de mantenimiento de la cámara de reacción y mejora la eficiencia de operación continua del equipo.

3. Componentes de grafito

Posicionamiento de la función: como componente de sellado y cojinete de alta temperatura, para garantizar la opresión del aire y la resistencia a la corrosión de la cámara de reacción.

Características técnicas:

Resistencia de alta temperatura: el uso de material de grafito flexible de alta pureza, soporte de -200 ℃ a 850 ℃ Entorno de temperatura extrema, adecuado para el proceso MOCVD amoníaco (NH₃), fuentes de metales orgánicos y otros medios corrosivos.

Auto-lubricación y resiliencia: el anillo de grafito tiene excelentes características de auto-lubricación, que pueden reducir el desgaste mecánico, mientras que el coeficiente de alta resiliencia se adapta al cambio de la expansión térmica, asegurando la confiabilidad del sello a largo plazo.

Diseño personalizado: soporte de 45 ° Incisión oblicua, estructura en forma de V o cerrada para cumplir con diferentes requisitos de sellado de cavidades.

Cuarto, sistemas de apoyo y capacidades de expansión

Procesamiento de obleas automatizadas: controlador de obleas de casete a cassete integrado para carga/descarga de obleas totalmente automatizadas con una intervención manual reducida.

Compatibilidad del proceso: apoya el crecimiento epitaxial de nitruro de galio (GaN), arsenuro de fósforo (ASP), micro LED y otros materiales, adecuados para radiofrecuencia (RF), dispositivos de energía, tecnología de visualización y otros campos de demanda.

Flexibilidad de actualización: los sistemas G5 existentes se pueden actualizar a la versión G5+ con modificaciones de hardware para acomodar obleas más grandes y procesos avanzados.

Estructura cristalina de película sic cvd:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD: