Pedestal recubierto de SiC

Con años de experiencia en la producción de piezas de grafito recubiertas de SIC, el semiconductor Vetek puede suministrar una amplia gama de pedestal recubierto de SIC. El pedestal recubierto de SIC de alta calidad puede cumplir con muchas aplicaciones, si lo necesita, obtenga nuestro servicio oportuno en línea sobre el pedestal recubierto de SIC. Además de la lista de productos a continuación, también puede personalizar su propio pedestal recubierto de SIC único de acuerdo con sus necesidades específicas.

En comparación con otros métodos, como MBE, LPE, PLD, el método MOCVD tiene las ventajas de una mayor eficiencia de crecimiento, una mejor precisión de control y un costo relativamente bajo, y se usa ampliamente en la industria actual. Con la creciente demanda de materiales epitaxiales semiconductores, especialmente para un widEn la gama de materiales epitaxiales optoelectrónicos como LD y LED, es muy importante adoptar nuevos diseños de equipos para aumentar aún más la capacidad de producción y reducir costos.

Entre ellos, la bandeja de grafito cargada con sustrato utilizada en el crecimiento epitaxial de MOCVD es una parte muy importante del equipo de MOCVD. La bandeja de grafito utilizada en el crecimiento epitaxial de nitruros del grupo III, para evitar la corrosión del amoníaco, hidrógeno y otros gases en el grafito, generalmente en la superficie de la bandeja de grafito estará revestida con una fina capa protectora uniforme de carburo de silicio. 

En el crecimiento epitaxial del material, la uniformidad, la consistencia y la conductividad térmica de la capa protectora de carburo de silicio son muy altas, y hay ciertos requisitos para su vida. El pedestal recubierto de SIC del semiconductor de Vetek reduce el costo de producción de los paletas de grafito y mejora su vida útil, lo que tiene un gran papel en la reducción del costo de los equipos MOCVD. El pedestal recubierto de SiC también es una parte importante de la cámara de reacción MOCVD, lo que mejora efectivamente la eficiencia de la producción.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD