Receta de deposición de capa atómica ALD

ALD espacial, deposición de capas atómicas espacialmente aisladas. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre el ALD tradicional y el ALD espacialmente aislado.

ALD temporal,deposición de capas atómicas temporalmente aisladas. La oblea se fija y los precursores se introducen y se eliminan alternativamente en la cámara. Este método puede procesar la oblea en un entorno más equilibrado, mejorando así los resultados, como un mejor control del rango de dimensiones críticas. La siguiente figura es un diagrama esquemático de ALD temporal.

Válvula de detención, válvula de cierre. Comúnmente utilizado en，Recetas, utilizadas para cerrar la válvula a la bomba de vacío, o abrir la válvula de parada a la bomba de vacío.

Precursor, precursor. Dos o más, cada uno de los cuales contiene los elementos de la película depositada deseada, se adsorben alternativamente sobre la superficie del sustrato, con sólo un precursor a la vez, independientemente uno del otro. Cada precursor satura la superficie del sustrato para formar una monocapa. El precursor se puede ver en la siguiente figura.

Purga, también conocida como purificación. Gas de purga común, gas de purga.Deposición de capas atómicases un método para depositar películas delgadas en capas atómicas colocando secuencialmente dos o más reactivos en una cámara de reacción para formar una película delgada a través de la descomposición y la adsorción de cada reactivo. Es decir, el primer gas de reacción se suministra de manera pulsada para depositar químicamente dentro de la cámara, y el gas de primera reacción residual físicamente unido se elimina mediante la purga. Luego, el segundo gas de reacción también forma un enlace químico con el primer gas de reacción en parte a través del proceso de pulso y purga, depositando así la película deseada en el sustrato. La purga se puede ver en la figura a continuación.

Ciclo. En el proceso de deposición de la capa atómica, el tiempo para que cada gas de reacción se pulse y purgue una vez se denomina ciclo.

Epitaxia de la capa atómica.Otro término para la deposición de capas atómicas.

Trimetilaluminio, abreviado como TMA, trimetilaluminio. En la deposición de la capa atómica, la TMA a menudo se usa como precursor para formar Al2O3. Normalmente, TMA y H2O forman AL2O3. Además, TMA y O3 forman AL2O3. La siguiente figura es un diagrama esquemático de la deposición de la capa atómica Al2O3, utilizando TMA y H2O como precursores.

3-aminopropiltriethoxisilano, denominado aptos, 3-aminopropiltrimetoxisilano. Endeposición de capa atómica, APTES se utiliza a menudo como precursor para formar SiO2. Normalmente, APTES, O3 y H2O forman SiO2. La siguiente figura es un diagrama esquemático de APTES.