Receptor de grafito epitaxial GaN para G5

Vetek Semiconductor es un susceptor profesional de grafito epitaxial de China Gan para el fabricante y proveedor de G5. El susceptor de grafito epitaxial de GaN para G5 es un componente crítico utilizado en el sistema de deposición de vapor químico de metal-orgánico Aixtron G5 (MOCVD) para el crecimiento de películas delgadas de nitruro de galio de alta calidad (GaN), juega un papel crucial para garantizar una temperatura uniforme de temperatura uniforme para garantizar una temperatura uniforme. Distribución, transferencia de calor eficiente y contaminación mínima durante el proceso de crecimiento.

Características clave del susceptor de grafito epitaxial GaN VeTek Semiconductor para G5:

-Alta pureza: el susceptor está hecho de grafito de alta pureza con recubrimiento CVD, lo que minimiza la contaminación de las películas de GaN en crecimiento.

-La conductividad térmica excelente: la alta conductividad térmica del grafito (150-300 w/(m · k)) asegura una distribución de temperatura uniforme entre el susceptor, lo que lleva a un crecimiento constante de la película GaN.

-Baja expansión térmica: el bajo coeficiente de expansión térmica del susceptor minimiza el estrés térmico y el agrietamiento durante el proceso de crecimiento a alta temperatura.

-La inercia química: el grafito es químicamente inerte y no reacciona con los precursores de GaN, evitando las impurezas no deseadas en las películas cultivadas.

-Compatibilidad con Aixtron G5: El susceptor está diseñado específicamente para su uso en el sistema MOCVD Aixtron G5, asegurando un ajuste y funcionalidad adecuados.

Aplicaciones:

LED de alto brillo: los LED basados ​​en GaN ofrecen alta eficiencia y larga vida útil, lo que los hace ideales para iluminación general, iluminación automotriz y aplicaciones de visualización.

Transistores de alta potencia: los transistores GaN ofrecen un rendimiento superior en términos de densidad de potencia, eficiencia y velocidad de conmutación, lo que los hace adecuados para aplicaciones de electrónica de potencia.

Diodos láser: los diodos láser basados ​​en GaN ofrecen alta eficiencia y longitudes de onda cortas, lo que los hace ideales para aplicaciones de comunicación y almacenamiento óptico.

Parámetro del producto del susceptor de grafito epitaxial GaN para G5

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

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