Recubrimiento de carburo de silicio

VeTek Semiconductor se especializa en la producción de productos de recubrimiento de carburo de silicio ultra puro, estos recubrimientos están diseñados para aplicarse a grafito purificado, cerámica y componentes metálicos refractarios.

Nuestros recubrimientos de alta pureza están destinados principalmente a su uso en las industrias de semiconductores y electrónica. Sirven como capa protectora para portadores de obleas, susceptores y elementos calefactores, protegiéndolos de los entornos corrosivos y reactivos que se encuentran en procesos como MOCVD y EPI. Estos procesos son parte integral del procesamiento de obleas y la fabricación de dispositivos. Además, nuestros recubrimientos son adecuados para aplicaciones en hornos de vacío y calentamiento de muestras, donde se encuentran ambientes de alto vacío, reactivos y oxígeno.

En VeTek Semiconductor, ofrecemos una solución integral con nuestras capacidades avanzadas de taller mecánico. Esto nos permite fabricar los componentes base utilizando grafito, cerámica o metales refractarios y aplicar los recubrimientos cerámicos de SiC o TaC internamente. También brindamos servicios de recubrimiento para piezas suministradas por el cliente, lo que garantiza flexibilidad para satisfacer diversas necesidades.

Nuestros productos de recubrimiento de carburo de silicio se utilizan ampliamente en epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, proceso RTP/RTA, proceso de grabado, proceso de grabado ICP/PSS, proceso de varios tipos de LED, incluidos LED azul y verde, LED UV y UV profundo. LED, etc., que se adapta a equipos de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.

Piezas del reactor que podemos hacer:

Recubrimiento de carburo de silicio varias ventajas únicas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parámetro de recubrimiento de carburo de silicio semiconductor VeTek

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad del recubrimiento de SiC	3,21 g/cm³
Recubrimiento de SiCDureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m^-1·k^-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K^-1

ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Susceptor Epi recubierto de carburo de silicio Portador de oblea con revestimiento de SiC Cubierta de satélite recubierta de SiC para MOCVD Susceptor Epi de oblea con revestimiento de SiC CVD Elemento calefactor con revestimiento CVD SiC Portaobleas Aixtron Satellite Receptor Epi con revestimiento de SiC Piezas de grafito en forma de media luna con revestimiento de SiC

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Cámara de reactor epitaxial recubierta de SiC

La cámara del reactor epitaxial recubierto de SiC Veteksemicon es un componente central diseñado para procesos de crecimiento epitaxial de semiconductores exigentes. Utilizando deposición química de vapor (CVD) avanzada, este producto forma un recubrimiento de SiC denso y de alta pureza sobre un sustrato de grafito de alta resistencia, lo que resulta en una estabilidad superior a altas temperaturas y resistencia a la corrosión. Resiste eficazmente los efectos corrosivos de los gases reactivos en entornos de proceso de alta temperatura, suprime significativamente la contaminación por partículas, garantiza una calidad constante del material epitaxial y un alto rendimiento, y extiende sustancialmente el ciclo de mantenimiento y la vida útil de la cámara de reacción. Es una opción clave para mejorar la eficiencia de fabricación y la confiabilidad de semiconductores de banda ancha como SiC y GaN.

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Piezas del receptor EPI

En el proceso central del crecimiento epitaxial del carburo de silicio, Veteksemicon entiende que el rendimiento del susceptor determina directamente la calidad y la eficiencia de producción de la capa epitaxial. Nuestros susceptores EPI de alta pureza, diseñados específicamente para el campo de SiC, utilizan un sustrato de grafito especial y un recubrimiento denso de SiC CVD. Con su estabilidad térmica superior, excelente resistencia a la corrosión y tasa de generación de partículas extremadamente baja, garantizan un espesor y una uniformidad de dopaje incomparables para los clientes incluso en entornos de procesos hostiles a altas temperaturas. Elegir Veteksemicon significa elegir la piedra angular de la confiabilidad y el rendimiento para sus procesos avanzados de fabricación de semiconductores.

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Susceptor de grafito recubierto de SiC para ASM

El susceptor de grafito recubierto de SiC Veteksemicon para ASM es un componente portador central en procesos epitaxiales de semiconductores. Este producto utiliza nuestra tecnología patentada de recubrimiento de carburo de silicio pirolítico y procesos de mecanizado de precisión para garantizar un rendimiento superior y una vida útil ultralarga en entornos de procesos corrosivos y de alta temperatura. Entendemos profundamente los estrictos requisitos de los procesos epitaxiales en cuanto a pureza del sustrato, estabilidad térmica y consistencia, y estamos comprometidos a brindar a los clientes soluciones estables y confiables que mejoren el rendimiento general del equipo.

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Anillo de enfoque de carburo de silicio

El anillo de enfoque Veteksemicon está diseñado específicamente para equipos de grabado de semiconductores exigentes, en particular aplicaciones de grabado de SiC. Montado alrededor del mandril electrostático (ESC), muy cerca de la oblea, su función principal es optimizar la distribución del campo electromagnético dentro de la cámara de reacción, asegurando una acción del plasma uniforme y enfocada en toda la superficie de la oblea. Un anillo de enfoque de alto rendimiento mejora significativamente la uniformidad de la tasa de grabado y reduce los efectos de los bordes, lo que aumenta directamente el rendimiento del producto y la eficiencia de la producción.

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Placa portadora de carburo de silicio para grabado LED

La placa portadora de carburo de silicio Veteksemicon para grabado de LED, diseñada específicamente para la fabricación de chips LED, es un consumible central en el proceso de grabado. Fabricado con carburo de silicio de alta pureza sinterizado con precisión, ofrece una resistencia química excepcional y estabilidad dimensional a altas temperaturas, resistiendo eficazmente la corrosión de ácidos, bases y plasma fuertes. Sus propiedades de baja contaminación garantizan altos rendimientos para las obleas epitaxiales LED, mientras que su durabilidad, que supera con creces la de los materiales tradicionales, ayuda a los clientes a reducir los costos operativos generales, lo que las convierte en una opción confiable para mejorar la eficiencia y la consistencia del proceso de grabado.

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Anillo de enfoque de SiC sólido

El anillo de enfoque de SiC sólido de Veteksemi mejora significativamente la uniformidad del grabado y la estabilidad del proceso al controlar con precisión el campo eléctrico y el flujo de aire en el borde de la oblea. Se utiliza ampliamente en procesos de grabado de precisión para silicio, dieléctricos y materiales semiconductores compuestos, y es un componente clave para garantizar el rendimiento de la producción en masa y el funcionamiento confiable del equipo a largo plazo.

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Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de silicio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar Recubrimiento de carburo de silicio avanzado y duradero realizados en China, puede dejarnos un mensaje.

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