Recubrimiento de carburo de silicio

VeTek Semiconductor se especializa en la producción de productos de recubrimiento de carburo de silicio ultra puro, estos recubrimientos están diseñados para aplicarse a grafito purificado, cerámica y componentes metálicos refractarios.

Nuestros recubrimientos de alta pureza están destinados principalmente a su uso en las industrias de semiconductores y electrónica. Sirven como capa protectora para portadores de obleas, susceptores y elementos calefactores, protegiéndolos de los entornos corrosivos y reactivos que se encuentran en procesos como MOCVD y EPI. Estos procesos son parte integral del procesamiento de obleas y la fabricación de dispositivos. Además, nuestros recubrimientos son adecuados para aplicaciones en hornos de vacío y calentamiento de muestras, donde se encuentran ambientes de alto vacío, reactivos y oxígeno.

En VeTek Semiconductor, ofrecemos una solución integral con nuestras capacidades avanzadas de taller mecánico. Esto nos permite fabricar los componentes base utilizando grafito, cerámica o metales refractarios y aplicar los recubrimientos cerámicos de SiC o TaC internamente. También brindamos servicios de recubrimiento para piezas suministradas por el cliente, lo que garantiza flexibilidad para satisfacer diversas necesidades.

Nuestros productos de recubrimiento de carburo de silicio se utilizan ampliamente en epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, proceso RTP/RTA, proceso de grabado, proceso de grabado ICP/PSS, proceso de varios tipos de LED, incluidos LED azul y verde, LED UV y UV profundo. LED, etc., que se adapta a equipos de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.

Piezas del reactor que podemos hacer:

Recubrimiento de carburo de silicio varias ventajas únicas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parámetro de recubrimiento de carburo de silicio semiconductor VeTek

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad del recubrimiento de SiC	3,21 g/cm³
Recubrimiento de SiCDureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m^-1·k^-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K^-1

ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Susceptor Epi recubierto de carburo de silicio Portador de oblea con revestimiento de SiC Cubierta de satélite recubierta de SiC para MOCVD Susceptor Epi de oblea con revestimiento de SiC CVD Elemento calefactor con revestimiento CVD SiC Portaobleas Aixtron Satellite Receptor Epi con revestimiento de SiC Piezas de grafito en forma de media luna con revestimiento de SiC

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Cubierta satelital recubierta de SIC para MOCVD

Como fabricante líder y proveedor de la cubierta satélite recubierta de SIC para productos MOCVD en China, la cubierta satélite recubierta de SIC Siconductor Vetek para productos MOCVD tiene una resistencia extrema de alta temperatura, una excelente resistencia a la oxidación y una excelente resistencia a la corrosión, desempeñando un papel irreplacable para garantizar un crecimiento epitaxial de alta calidad en las maderas. Dé la bienvenida a sus consultas adicionales.

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Cabezal de ducha sólido en forma de disco

Vetek Semiconductor es un fabricante de equipos de semiconductores líderes en China y un fabricante profesional y proveedor de cabezales de ducha sólidos en forma de disco SIC. El cabezal de ducha de la forma del disco se usa ampliamente en la producción de deposición de películas delgadas, como el proceso de CVD para garantizar la distribución uniforme del gas de reacción y es uno de los componentes centrales del horno CVD.

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CVD Sic recubierto de cañón de oblea

CVD SIC recubierto de la oblea de barril es el componente clave del horno de crecimiento epitaxial, ampliamente utilizado en hornos de crecimiento epitaxial MOCVD. Vetek Semiconductor le proporciona productos altamente personalizados. No importa cuáles sean sus necesidades para el titular de la oblea de obleas CVD SIC, bienvenidos para consultarnos.

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CVD SIC Coating Barrel Susceptor

Vetek Semiconductor CVD Sic Coating Barrel Susceptor es el componente central del horno epitaxial de tipo barril. Con la ayuda del susceptor de barril de recubrimiento CVD SIC, la cantidad y la calidad del crecimiento epitaxial se mejoran enormemente. Semiconductor espera establecer una relación cooperativa cercana con usted en la industria de semiconductores.

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CVD SIC Cubrete de oblea EPI susceptor

Vetek Semiconductor CVD Sic Coating Wafer EPI El susceptor es un componente indispensable para el crecimiento de la epitaxia de SiC, que ofrece un manejo térmico superior, resistencia química y estabilidad dimensional. Al elegir el susceptor EPI de la oblea de recubrimiento CVD SIC de vetek semiconductor, mejora el rendimiento de sus procesos MOCVD, lo que lleva a productos de mayor calidad y una mayor eficiencia en sus operaciones de fabricación de semiconductores. Dé la bienvenida a sus consultas adicionales.

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CVD SIC Cubo de grafito susceptor

Vetek Semiconductor CVD Sic Coating Graphite susceptor es uno de los componentes importantes en la industria semiconductora, como el crecimiento epitaxial y el procesamiento de obleas. Se utiliza en MOCVD y otros equipos para apoyar el procesamiento y el manejo de obleas y otros materiales de alta precisión. Vetek Semiconductor tiene el principal susceptor de grafito recubierto de SIC de China y capacidades de producción y fabricación de susceptores de grafito recubiertos de TAC, y espera su consulta.

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Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de silicio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar Recubrimiento de carburo de silicio avanzado y duradero realizados en China, puede dejarnos un mensaje.

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