Recubrimiento de carburo de silicio

Anillos de borde SIC de alta pureza de Veteksemicon, especialmente diseñados para equipos de grabado de semiconductores, cuentan con una resistencia de corrosión sobresaliente y estabilidad térmica, mejorando significativamente el rendimiento de la oblea

Como fabricante chino líder y proveedor de productos de recubrimiento de carburo de silicio, el portador de obleas recubierto de SIC de Veteksemicon para el grabado juega un papel central irremplazable en el proceso de grabado con su excelente estabilidad de alta temperatura, resistencia a la corrosión sobresaliente y alta conductividad térmica.

El susceptor de obleas recubierto de CVD SIC de Veteksemicon es una solución de vanguardia para procesos epitaxiales semiconductores, que ofrece pureza ultra alta (≤100ppb, certificada ICP-E10) y una estabilidad térmica/química excepcional para el crecimiento resistente a la contaminación de las capas EPI basadas en EPI basadas en EPI. Diseñado con tecnología CVD de precisión, admite obleas de 6 "/8"/12 ", garantiza un estrés térmico mínimo y soporta temperaturas extremas de hasta 1600 ° C.

Nuestro susceptor planetario recubierto de SIC es un componente central en el proceso de alta temperatura de fabricación de semiconductores. Su diseño combina sustrato de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para lograr una optimización integral del rendimiento del manejo térmico, la estabilidad química y la resistencia mecánica.

Nuestro anillo de sellado recubierto de SIC para la epitaxia es un componente de sellado de alto rendimiento basado en compuestos de grafito o carbono-carbono recubierto con carburo de silicio de alta pureza (sic) por depósito de vapor químico (CVD), que combina la estabilidad térmica de grafito con la resistencia ambiental extrema de SIC y está diseñada para el equipo epitaxial semiconductor (E.G.

El susceptor de grafito de Epi de obleas de Veteksemicon está diseñado para carburo de silicio de alto rendimiento (sic), nitruro de galio (GaN) y otro proceso epitaxial semiconductor de tercera generación, y es el componente de soporte central de la hoja epitaxial de alta precisión en la producción de masas.