Recubrimiento de carburo de silicio

Este pasador de elevación de oblea AMAT 0200-03201 de VeTek comienza con grafito de alta pureza, luego agregamos un recubrimiento denso de CVD SiC en la parte superior. Está hecho para sistemas de epitaxia de 300 mm y reactores EPI de materiales aplicados. ¿Por qué grafito y SiC? El grafito soporta muy bien el calor. La capa de SiC absorbe gases corrosivos y no se desgasta rápidamente. ¿El diseño de pared delgada? Esto permite un levantamiento y posicionamiento más limpio de las obleas, menos partículas y una vida útil más larga en condiciones de altas temperaturas. También fabricamos piezas similares de grafito recubiertas de SiC para sistemas ASM, Aixtron y LPE. Esperamos su consulta.

Vetek Semiconductor fabrica portadores de obleas para sistemas VEECO MOCVD, construidos específicamente para trabajos de epitaxia LED como LED GaN, LED azul-verde y crecimiento LED UV profundo. Estos portadores comienzan con grafito de alta pureza y obtienen un recubrimiento denso de carburo de silicio (SiC) CVD. Esa combinación resiste bien las altas temperaturas que se ven en MOCVD: buena estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y el recubrimiento dura.

Halfmoon es un componente de grafito utilizado dentro de los reactores LPE SiC, instalado principalmente alrededor de la zona caliente de la cámara. Aunque no entra en contacto directo con la oblea, aún desempeña un papel en la estabilidad del flujo de gas y el funcionamiento del reactor durante el crecimiento epitaxial. Para manejar altas temperaturas y condiciones de proceso reactivo, el componente generalmente se protege con un recubrimiento CVD de SiC, mientras que el recubrimiento de TaC también está disponible para algunas aplicaciones. VETEK también suministra aislamiento de fieltro de grafito y otras piezas recubiertas de grafito para sistemas de epitaxia de SiC.

El anillo superior SiC epi de 8 pulgadas es una pieza de hardware para reactores semiconductores. Funciona dentro de sistemas epitaxia Si/SiC y MOCVD/CVD. Este anillo estabiliza el calor dentro de la cámara. También controla el flujo de gases. El material es carburo de silicio CVD de alta pureza. No tiene los problemas de desgasificación del grafito. También reduce la contaminación por partículas durante la producción. Agradecemos sus consultas.

El susceptor recubierto de SiC VETEK MOCVD es una solución portadora de ingeniería de precisión desarrollada específicamente para el crecimiento epitaxial de LED y semiconductores compuestos. Demuestra una uniformidad térmica excepcional y una inercia química dentro de entornos MOCVD complejos. Aprovechando el riguroso proceso de deposición de CVD de VETEK, estamos comprometidos a mejorar la consistencia del crecimiento de las obleas y extender la vida útil de los componentes centrales, brindando garantía de rendimiento estable y confiable para cada lote de su producción de semiconductores.

El anillo de enfoque de carburo de silicio sólido (SiC) de Veteksemicon es un componente consumible crítico que se utiliza en procesos avanzados de epitaxia de semiconductores y grabado por plasma, donde es esencial un control preciso de la distribución del plasma, la uniformidad térmica y los efectos del borde de la oblea. Fabricado con carburo de silicio sólido de alta pureza, este anillo de enfoque exhibe una excepcional resistencia a la erosión por plasma, estabilidad a altas temperaturas e inercia química, lo que permite un rendimiento confiable en condiciones de proceso agresivas. Esperamos su consulta.