Recubrimiento de carburo de silicio

Halfmoon es un componente de grafito utilizado dentro de los reactores LPE SiC, instalado principalmente alrededor de la zona caliente de la cámara. Aunque no entra en contacto directo con la oblea, aún desempeña un papel en la estabilidad del flujo de gas y el funcionamiento del reactor durante el crecimiento epitaxial. Para manejar altas temperaturas y condiciones de proceso reactivo, el componente generalmente se protege con un recubrimiento CVD de SiC, mientras que el recubrimiento de TaC también está disponible para algunas aplicaciones. VETEK también suministra aislamiento de fieltro de grafito y otras piezas recubiertas de grafito para sistemas de epitaxia de SiC.

El anillo superior SiC epi de 8 pulgadas es una pieza de hardware para reactores semiconductores. Funciona dentro de sistemas epitaxia Si/SiC y MOCVD/CVD. Este anillo estabiliza el calor dentro de la cámara. También controla el flujo de gases. El material es carburo de silicio CVD de alta pureza. No tiene los problemas de desgasificación del grafito. También reduce la contaminación por partículas durante la producción. Agradecemos sus consultas.

El susceptor recubierto de SiC VETEK MOCVD es una solución portadora de ingeniería de precisión desarrollada específicamente para el crecimiento epitaxial de LED y semiconductores compuestos. Demuestra una uniformidad térmica excepcional y una inercia química dentro de entornos MOCVD complejos. Aprovechando el riguroso proceso de deposición de CVD de VETEK, estamos comprometidos a mejorar la consistencia del crecimiento de las obleas y extender la vida útil de los componentes centrales, brindando garantía de rendimiento estable y confiable para cada lote de su producción de semiconductores.

El anillo de enfoque de carburo de silicio sólido (SiC) de Veteksemicon es un componente consumible crítico que se utiliza en procesos avanzados de epitaxia de semiconductores y grabado por plasma, donde es esencial un control preciso de la distribución del plasma, la uniformidad térmica y los efectos del borde de la oblea. Fabricado con carburo de silicio sólido de alta pureza, este anillo de enfoque exhibe una excepcional resistencia a la erosión por plasma, estabilidad a altas temperaturas e inercia química, lo que permite un rendimiento confiable en condiciones de proceso agresivas. Esperamos su consulta.

La cámara del reactor epitaxial recubierto de SiC Veteksemicon es un componente central diseñado para procesos de crecimiento epitaxial de semiconductores exigentes. Utilizando deposición química de vapor (CVD) avanzada, este producto forma un recubrimiento de SiC denso y de alta pureza sobre un sustrato de grafito de alta resistencia, lo que resulta en una estabilidad superior a altas temperaturas y resistencia a la corrosión. Resiste eficazmente los efectos corrosivos de los gases reactivos en entornos de proceso de alta temperatura, suprime significativamente la contaminación por partículas, garantiza una calidad constante del material epitaxial y un alto rendimiento, y extiende sustancialmente el ciclo de mantenimiento y la vida útil de la cámara de reacción. Es una opción clave para mejorar la eficiencia de fabricación y la confiabilidad de semiconductores de banda ancha como SiC y GaN.

En el proceso central del crecimiento epitaxial del carburo de silicio, Veteksemicon entiende que el rendimiento del susceptor determina directamente la calidad y la eficiencia de producción de la capa epitaxial. Nuestros susceptores EPI de alta pureza, diseñados específicamente para el campo de SiC, utilizan un sustrato de grafito especial y un recubrimiento denso de SiC CVD. Con su estabilidad térmica superior, excelente resistencia a la corrosión y tasa de generación de partículas extremadamente baja, garantizan un espesor y una uniformidad de dopaje incomparables para los clientes incluso en entornos de procesos hostiles a altas temperaturas. Elegir Veteksemicon significa elegir la piedra angular de la confiabilidad y el rendimiento para sus procesos avanzados de fabricación de semiconductores.