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Propiedades físicas del recubrimiento TAC |
|
Densidad de recubrimiento de carburo tantalum (TAC) |
14.3 (g/cm³) |
Emisividad específica |
0.3 |
Coeficiente de expansión térmica |
6.3x10-6/K |
Dureza de recubrimiento TAC (HK) |
2000 HK |
Resistencia |
1 × 10-5Ohm*cm |
Estabilidad térmica |
<2500 ℃ |
Cambios de tamaño de grafito |
-10 ~ -20um |
Espesor de revestimiento |
≥20um valor típico (35um ± 10um) |
1. Componentes del reactor de crecimiento epitaxial
El recubrimiento TAC se usa ampliamente en componentes del reactor de deposición de vapor químico (CVD) del nitruro de galio (GaN) epitaxial y carburo de silicio (SIC), incluidotransportista de obleas, platos satelitales, boquillas y sensores. Estos componentes requieren una durabilidad y estabilidad extremadamente altas en ambientes de alta temperatura y corrosiva. El recubrimiento TAC puede extender efectivamente su vida útil y mejorar el rendimiento.
2. Componente de crecimiento de un solo cristal
En el proceso de crecimiento de cristales únicos de materiales como SIC, GaN y Nitruro de aluminio (AIN),Recubrimiento TACse aplica a componentes clave como crisoles, soportes de cristal de semillas, anillos de guía y filtros. Los materiales de grafito con recubrimiento TAC pueden reducir la migración de impurezas, mejorar la calidad del cristal y reducir la densidad de defectos.
3. Componentes industriales de alta temperatura
El recubrimiento TAC se puede usar en aplicaciones industriales de alta temperatura, como elementos de calefacción resistivos, boquillas de inyección, anillos de protección y accesorios de soldadura. Estos componentes deben mantener un buen rendimiento en entornos de alta temperatura, y la resistencia al calor y la resistencia a la corrosión de TAC lo convierten en una opción ideal.
4. Calentadores en sistemas MOCVD
Los calentadores de grafito recubiertos con TAC se han introducido con éxito en los sistemas de deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD). En comparación con los calentadores tradicionales recubiertos de PBN, los calentadores TAC pueden proporcionar una mejor eficiencia y uniformidad, reducir el consumo de energía y reducir la emisividad de la superficie, mejorando así la integridad.
5. Transportistas de obleas
Los portadores de obleas recubiertas de TAC juegan un papel importante en la preparación de materiales semiconductores de tercera generación como SIC, Ain y GaN. Los estudios han demostrado que la tasa de corrosión deRecubrimientos TACen ambientes de amoníaco e hidrógeno de alta temperatura es mucho más bajo que el deRecubrimientos sic, lo que hace que muestre una mejor estabilidad y durabilidad en el uso a largo plazo.
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