Placa de soporte de pedestal de recubrimiento TAC

Vetek Semiconductor es el fabricante y proveedor de China que produce principalmente susceptores de recubrimiento CVD TAC, anillo de entrada, Wafer Chunck, TaC recubierto de TAC, placa de soporte de pedestal de recubrimiento TAC con muchos años de experiencia. Espero construir una relación comercial contigo.

Las cerámicas TAC tienen un punto de fusión de hasta 3880 ℃, alta dureza (dureza de Mohs 9 ~ 10), conductividad térmica grande (22W · m^-1· K⁻¹), gran resistencia a la flexión (340 ~ 400MPA) y un pequeño coeficiente de expansión térmica (6.6 × 10⁻⁶K⁻¹), y muestre una excelente estabilidad termoquímica y excelentes propiedades físicas. Tiene una buena compatibilidad química y mecánica con los materiales compuestos de grafito y C/C, por lo que el recubrimiento TAC se usa ampliamente en la protección térmica aeroespacial, el crecimiento de cristal único y los reactores epitaxiales como Aixtron, el reactor EPI LPE en la industria semiconductora. 

El grafito recubierto de TAC tiene una mejor resistencia a la corrosión química que la tinta de piedra desnuda o el grafito recubierto de SIC, se puede usar de manera estable a 2200 ° de alta temperatura, no reacciona con muchos elementos metálicos, es la tercera generación de crecimiento de un solo cristal semiconductor, la epitaxia y la escena de grabado de la oblea de la mejora de rendimiento, y el aumento de la potencia de rendimiento, puede mejorar significativamente el proceso de la temperatura y el control de la impureza, la preparación de siliconos de alta calidad, la escena de siliconidad de la siliconidad de la calicadora y el aumento de los rendimientos, y el aumento de la potencia, y el control de la altura de la alta calidad, y el control de la altura de la alta calidad, y el control de la altura de la alta calidad, y la escena de la calicación de alta calidad, y el control de la impulso de alta calidad, puede mejorar significativamente el procesamiento de la temperatura y el control de la impureza, la preparación de siliconos de alta calidad. obleas. Es especialmente adecuado para el cultivo de cristal único GaN o ALN en equipos MOCVD y cristal único SIC en equipos PVT, y la calidad del cristal único cultivado obviamente se mejora.