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Anillo deflector recubierto de TAC
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Anillo deflector recubierto de TAC

El anillo de deflector recubierto de TAC de Vetek Semiconductor es un componente altamente especializado diseñado para procesos de crecimiento de cristal SIC. El recubrimiento TAC proporciona una excelente resistencia a la temperatura y una inercia química para hacer frente a las altas temperaturas y los ambientes corrosivos durante el proceso de crecimiento de los cristales. Esto garantiza un rendimiento estable y una larga vida útil del componente, reduciendo la frecuencia de reemplazo y tiempo de inactividad. Estamos comprometidos a proporcionar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China. Aprendida para consultar en cualquier momento.

Vetek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de anillo de deflector recubierto de China TAC. Estos componentes son críticos en entornos que requieren alta resistencia a la temperatura, una durabilidad excepcional e inercia química inigualable.

El anillo deflector recubierto de TAC se fabrican a partir de carburo de tantalio de alta pureza, que ofrece una excelente conductividad térmica y resistencia extrema a altas temperaturas y choque térmico. El recubrimiento TAC del componente proporciona una capa adicional de protección contra los productos químicos agresivos y los entornos duros comunes en el crecimiento de los cristales. La presencia del recubrimiento aumenta la durabilidad y la vida del componente, manteniendo un rendimiento constante en múltiples ciclos.

El anillo deflector recubierto de TAC puede soportar temperaturas de hasta 2200 ° C, lo que lo hace ideal para procesos de alta temperatura. El anillo deflector recubierto de TAC se usa principalmente en la industria de semiconductores, específicamente para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Adecuado tanto para la investigación como para los reactores de crecimiento de cristales a escala industrial.


Parámetro del producto del anillo deflector recubierto de TAC

Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad 14.3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6.3 × 10-6/K
Dureza (HK) 2000 HK
Resistencia 1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica <2500 ℃
Cambios de tamaño de grafito -10 ~ -20um
Espesor de revestimiento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


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Descripción general de la cadena industrial de la epitaxia de chip de semiconductores:

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