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La evolución del CVD-SiC desde recubrimientos de película fina hasta materiales a granel10 2026-04

La evolución del CVD-SiC desde recubrimientos de película fina hasta materiales a granel

Los materiales de alta pureza son esenciales para la fabricación de semiconductores. Estos procesos implican calor extremo y productos químicos corrosivos. CVD-SiC (carburo de silicio por deposición química de vapor) proporciona la estabilidad y resistencia necesarias. Ahora es una opción principal para piezas de equipos avanzados debido a su alta pureza y densidad.
El cuello de botella invisible en el crecimiento del SiC: por qué la materia prima de SiC CVD a granel 7N está reemplazando al polvo tradicional07 2026-04

El cuello de botella invisible en el crecimiento del SiC: por qué la materia prima de SiC CVD a granel 7N está reemplazando al polvo tradicional

En el mundo de los semiconductores de carburo de silicio (SiC), la mayor parte de la atención se centra en los reactores epitaxiales de 8 pulgadas o en las complejidades del pulido de obleas. Sin embargo, si rastreamos la cadena de suministro hasta el principio (dentro del horno de transporte físico de vapor (PVT), se está produciendo silenciosamente una "revolución material" fundamental.
Obleas piezoeléctricas PZT: soluciones de alto rendimiento para MEMS de próxima generación20 2026-03

Obleas piezoeléctricas PZT: soluciones de alto rendimiento para MEMS de próxima generación

En la era de la rápida evolución de los MEMS (sistemas microelectromecánicos), seleccionar el material piezoeléctrico adecuado es una decisión decisiva para el rendimiento del dispositivo. Las obleas de película delgada de PZT (titanato de circonato de plomo) se han convertido en la principal opción frente a alternativas como el AlN (nitruro de aluminio), ya que ofrecen un acoplamiento electromecánico superior para sensores y actuadores de última generación.
Susceptores de alta pureza: la clave para el rendimiento personalizado de las obleas Semicon en 202614 2026-03

Susceptores de alta pureza: la clave para el rendimiento personalizado de las obleas Semicon en 2026

A medida que la fabricación de semiconductores continúa evolucionando hacia nodos de proceso avanzados, mayor integración y arquitecturas complejas, los factores decisivos para el rendimiento de las obleas están experimentando un cambio sutil. Para la fabricación de obleas semiconductoras personalizadas, el punto decisivo para el rendimiento ya no reside únicamente en procesos centrales como la litografía o el grabado; Los susceptores de alta pureza se están convirtiendo cada vez más en la variable subyacente que afecta la estabilidad y consistencia del proceso.
Recubrimiento de SiC frente a TaC: el escudo definitivo para los susceptores de grafito en el semiprocesamiento de energía a alta temperatura05 2026-03

Recubrimiento de SiC frente a TaC: el escudo definitivo para los susceptores de grafito en el semiprocesamiento de energía a alta temperatura

En el mundo de los semiconductores de banda ancha (WBG), si el proceso de fabricación avanzado es el "alma", el susceptor de grafito es la "columna vertebral" y el revestimiento de su superficie es la "piel" fundamental.
El valor crítico de la planarización mecánica química (CMP) en la fabricación de semiconductores de tercera generación06 2026-02

El valor crítico de la planarización mecánica química (CMP) en la fabricación de semiconductores de tercera generación

En el mundo de la electrónica de potencia, de alto riesgo, el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) están encabezando una revolución, desde los vehículos eléctricos (EV) hasta la infraestructura de energía renovable. Sin embargo, la legendaria dureza y la inercia química de estos materiales presentan un formidable cuello de botella en la fabricación.
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