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La introducción de CO₂ en el agua de corte en cubitos durante el corte de obleas es una medida de proceso eficaz para suprimir la acumulación de carga estática y reducir el riesgo de contaminación, mejorando así el rendimiento del corte en cubitos y la confiabilidad de las virutas a largo plazo.

Las obleas de silicio son la base de los circuitos integrados y los dispositivos semiconductores. Tienen una característica interesante: bordes planos o pequeñas ranuras en los lados. No es un defecto, sino un marcador funcional diseñado deliberadamente. De hecho, esta muesca sirve como referencia direccional y marcador de identidad durante todo el proceso de fabricación.

El pulido químico mecánico (CMP) elimina el exceso de material y los defectos de la superficie mediante la acción combinada de reacciones químicas y abrasión mecánica. Es un proceso clave para lograr la planarización global de la superficie de la oblea y es indispensable para interconexiones de cobre multicapa y estructuras dieléctricas de baja k. En la fabricación práctica

La suspensión de pulido CMP (planarización química y mecánica) de obleas de silicio es un componente crítico en el proceso de fabricación de semiconductores. Desempeña un papel fundamental para garantizar que las obleas de silicio, utilizadas para crear circuitos integrados (CI) y microchips, se pulan hasta el nivel exacto de suavidad requerido para las siguientes etapas de producción.

En la fabricación de semiconductores, la planarización química y mecánica (CMP) desempeña un papel vital. El proceso CMP combina acciones químicas y mecánicas para suavizar la superficie de las obleas de silicio, proporcionando una base uniforme para pasos posteriores como la deposición de películas delgadas y el grabado. La lechada de pulido CMP, como componente central de este proceso, afecta significativamente la eficiencia del pulido, la calidad de la superficie y el rendimiento final del producto.

La suspensión de pulido CMP de obleas es un material líquido especialmente formulado que se utiliza en el proceso CMP de fabricación de semiconductores. Se compone de agua, grabadores químicos, abrasivos y tensioactivos, lo que permite tanto el grabado químico como el pulido mecánico.