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Epitaxia de silicio

Epitaxia de silicio, EPI, epitaxia, epitaxial se refiere al crecimiento de una capa de cristal con la misma dirección de cristal y diferente espesor de cristal en un solo sustrato de silicio cristalino. Se requiere tecnología de crecimiento epitaxial para la fabricación de componentes discretos de semiconductores y circuitos integrados, porque las impurezas contenidas en los semiconductores incluyen tipo N y tipo P. A través de una combinación de diferentes tipos, los dispositivos semiconductores exhiben una variedad de funciones.


El método de crecimiento de la epitaxia de silicio se puede dividir en epitaxia de fase gaseosa, epitaxia de fase líquida (LPE), epitaxia de fase sólida, método de crecimiento de depósito de vapor químico se usa ampliamente en el mundo para cumplir con la integridad del celtez.


El equipo epitaxial de silicio típico está representado por la compañía italiana LPE, que tiene panitaxial hy pnotic tor, Tor de cañón Hy Pnotic, semiconductor hy pnotic, portador de obleas, etc. El diagrama esquemático de la cámara de reacción de reacción epitaxial HY del pelector en forma de barril es el siguiente. El semiconductor Vetek puede proporcionar obleas de obleas en forma de barril de hy Pelector. La calidad del Pelector Hy recubierto de SIC es muy madura. Calidad equivalente a SGL; Al mismo tiempo, el semiconductor Vetek también puede proporcionar boquilla de cuarzo de cavidad epitaxial de silicio de reacción epitaxial, deflector de cuarzo, campana y otros productos completos.


Susceptor epitaxial vertial para la epitaxia de silicio:


Schematic diagram of Vertical Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


Productos de susceptores epitaxiales verticales principales de Vetek Semiconductor


SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI Susceptor de barril de grafito recubierto de SIC para EPI SiC Coated Barrel Susceptor Susceptor de barril recubierto de sic CVD SiC Coated Barrel Susceptor Susceptor de barril recubierto de SIC CVD LPE SI EPI Susceptor Set LPE si el seguidor de EPI establece



Susceptor epitaxial horizonal para la epitaxia de silicio:


Schematic diagram of Horizontal Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


Productos de susceptores epitaxiales horizontales principales de Vetek Semiconductor


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray Sic recubrimiento monocristalino bandeja epitaxial SiC Coated Support for LPE PE2061S Soporte recubierto de SIC para LPE PE2061S Graphite Rotating Susceptor Soporte giratorio de grafito



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Cabezal de ducha de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) CVD

Cabezal de ducha de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) CVD

Si alguna vez ha tenido que lidiar con un flujo de gas desigual o contaminación por partículas en una cámara de deposición, el cabezal de ducha de grafito recubierto de SiC CVD VETEK está diseñado para resolverlo. Comienza con grafito isostático de alta pureza para lograr estabilidad térmica y fácil mecanizado, luego obtiene un recubrimiento denso de carburo de silicio (SiC) CVD que sella la superficie, resiste gases corrosivos (como HCl o NF₃) y evita la desgasificación. El resultado es una placa de distribución de gas que proporciona un flujo uniforme a través de la oblea, soporta epitaxia de alta temperatura y dura mucho más que el grafito o el cuarzo desnudo, lo que la convierte en un componente confiable para procesos CVD, PECVD, MOCVD, epitaxia de silicio y epitaxia de SiC. También ofrecemos patrones y tamaños de orificios personalizados, porque no hay dos reactores exactamente iguales.
AMAT 0200-03201 Pasador de elevación de oblea CVD SiC

AMAT 0200-03201 Pasador de elevación de oblea CVD SiC

Este pasador de elevación de oblea AMAT 0200-03201 de VeTek comienza con grafito de alta pureza, luego agregamos un recubrimiento denso de CVD SiC en la parte superior. Está hecho para sistemas de epitaxia de 300 mm y reactores EPI de materiales aplicados. ¿Por qué grafito y SiC? El grafito soporta muy bien el calor. La capa de SiC absorbe gases corrosivos y no se desgasta rápidamente. ¿El diseño de pared delgada? Esto permite un levantamiento y posicionamiento más limpio de las obleas, menos partículas y una vida útil más larga en condiciones de altas temperaturas. También fabricamos piezas similares de grafito recubiertas de SiC para sistemas ASM, Aixtron y LPE. Esperamos su consulta.
Media luna para cámara de reacción LPE

Media luna para cámara de reacción LPE

Halfmoon es un componente de grafito utilizado dentro de los reactores LPE SiC, instalado principalmente alrededor de la zona caliente de la cámara. Aunque no entra en contacto directo con la oblea, aún desempeña un papel en la estabilidad del flujo de gas y el funcionamiento del reactor durante el crecimiento epitaxial. Para manejar altas temperaturas y condiciones de proceso reactivo, el componente generalmente se protege con un recubrimiento CVD de SiC, mientras que el recubrimiento de TaC también está disponible para algunas aplicaciones. VETEK también suministra aislamiento de fieltro de grafito y otras piezas recubiertas de grafito para sistemas de epitaxia de SiC.
Cámara de reactor epitaxial recubierta de SiC

Cámara de reactor epitaxial recubierta de SiC

La cámara del reactor epitaxial recubierto de SiC Veteksemicon es un componente central diseñado para procesos de crecimiento epitaxial de semiconductores exigentes. Utilizando deposición química de vapor (CVD) avanzada, este producto forma un recubrimiento de SiC denso y de alta pureza sobre un sustrato de grafito de alta resistencia, lo que resulta en una estabilidad superior a altas temperaturas y resistencia a la corrosión. Resiste eficazmente los efectos corrosivos de los gases reactivos en entornos de proceso de alta temperatura, suprime significativamente la contaminación por partículas, garantiza una calidad constante del material epitaxial y un alto rendimiento, y extiende sustancialmente el ciclo de mantenimiento y la vida útil de la cámara de reacción. Es una opción clave para mejorar la eficiencia de fabricación y la confiabilidad de semiconductores de banda ancha como SiC y GaN.
Piezas del receptor EPI

Piezas del receptor EPI

En el proceso central del crecimiento epitaxial del carburo de silicio, Veteksemicon entiende que el rendimiento del susceptor determina directamente la calidad y la eficiencia de producción de la capa epitaxial. Nuestros susceptores EPI de alta pureza, diseñados específicamente para el campo de SiC, utilizan un sustrato de grafito especial y un recubrimiento denso de SiC CVD. Con su estabilidad térmica superior, excelente resistencia a la corrosión y tasa de generación de partículas extremadamente baja, garantizan un espesor y una uniformidad de dopaje incomparables para los clientes incluso en entornos de procesos hostiles a altas temperaturas. Elegir Veteksemicon significa elegir la piedra angular de la confiabilidad y el rendimiento para sus procesos avanzados de fabricación de semiconductores.
Recubrimiento de SiC Bandeja epitaxial de silicio monocristalino

Recubrimiento de SiC Bandeja epitaxial de silicio monocristalino

La bandeja epitaxial de silicio monocristalino de SIC es un accesorio importante para el horno de crecimiento epitaxial de silicio monocristalino, asegurando una contaminación mínima y un entorno de crecimiento epitaxial estable. La bandeja epitaxial monocristalina de recubrimiento SIC de Vetek Semiconductor tiene una vida útil ultra larga y proporciona una variedad de opciones de personalización. El semiconductor de Vetek espera convertirse en su socio a largo plazo en China.

Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


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