Susceptor de barril recubierto de SIC CVD

Vetek Semiconductor CVD SIC recubierto de barril recubierto se adapta a procesos epitaxiales en la fabricación de semiconductores y es una opción ideal para mejorar la calidad y el rendimiento del producto. Esta base de susceptores de grafito de recubrimiento SIC adopta una estructura de grafito sólido y está recubierto con precisión con una capa SIC mediante el proceso de CVD, lo que hace que tenga una excelente conductividad térmica, resistencia a la corrosión y alta resistencia a la temperatura, y puede hacer frente de manera efectiva al entorno duro durante el crecimiento epitaxial.

Material y estructura del producto

El susceptor de barril SIC CVD es un componente de soporte en forma de barcaza formado por el recubrimiento de carburo de silicio (sic) en la superficie de una matriz de grafito, que se usa principalmente para transportar sustratos (como SI, SIC, obleas Gaan) en equipos CVD/MOCVD y proporciona un campo termal uniforme a temperaturas altas a altas temperaturas.

La estructura del barril a menudo se usa para el procesamiento simultáneo de múltiples obleas para mejorar la eficiencia del crecimiento de la capa epitaxial al optimizar la distribución del flujo de aire y la uniformidad del campo térmico. El diseño debe tener en cuenta el control de la ruta del flujo de gas y el gradiente de temperatura.

Funciones centrales y parámetros técnicos

Estabilidad térmica: es necesario mantener la estabilidad estructural en un entorno de alta temperatura de 1200 ° C para evitar la deformación o el agrietamiento del estrés térmico.

Inercia química: el recubrimiento SIC necesita resistir la erosión de gases corrosivos (como H₂, HCl) y residuos orgánicos metálicos.

Uniformidad térmica: la desviación de distribución de temperatura debe controlarse dentro de ± 1% para garantizar el grosor de la capa epitaxial y la uniformidad de dopaje.

Requisitos técnicos de recubrimiento

Densidad: cubra completamente la matriz de grafito para evitar la penetración de gas que conduce a la corrosión de la matriz.

Resistencia al enlace: necesita pasar la prueba de ciclo de alta temperatura para evitar recubrir el pelado.

Materiales y procesos de fabricación

Selección de material de recubrimiento

3C-SIC (β-SIC): Debido a que su coeficiente de expansión térmica está cerca del grafito (4.5 × 10⁻⁶/℃), se ha convertido en el material de recubrimiento principal, con alta conductividad térmica y resistencia al choque térmico.

Alternativa: el recubrimiento TAC puede reducir la contaminación del sedimento, pero el proceso es complejo y costoso.

Método de preparación de recubrimiento

Deposición de vapor químico (CVD): una técnica convencional que deposita SIC en superficies de grafito por reacción de gas. El recubrimiento es denso y se une fuertemente, pero lleva mucho tiempo y requiere el tratamiento de gases tóxicos (como Sih₄).

Método de incrustación: el proceso es simple pero la uniformidad de recubrimiento es pobre, y se requiere un tratamiento posterior para mejorar la densidad.

Estado del mercado y progreso de localización

Monopolio internacional

Dutch Xycard, SGL de Alemania, Toyo Carbon de Japón y otras compañías ocupan más del 90% de la participación mundial, liderando el mercado de alta gama.

Avance tecnológico doméstico

Semixlab ha estado en línea con los estándares internacionales en tecnología de recubrimiento y ha desarrollado nuevas tecnologías para evitar que el recubrimiento se caiga.

En el material de grafito, tenemos una profunda cooperación con SGL, Toyo, etc.

Caso de aplicación típico

Crecimiento epitaxial de gan

Lleve sustrato de zafiro en equipos MOCVD para la deposición de películas GaN de dispositivos LED y RF (como HEMTS) para resistir las atmósferas NH₃ y TMGA 12.

Dispositivo de alimentación sic

Apoyo al sustrato conductivo de SIC, la capa SIC de crecimiento epitaxial para fabricar dispositivos de alto voltaje como MOSFET y SBD, requiere una vida útil de más de 500 ciclos 17.

Datos SEM de estructura cristalina de película de recubrimiento SIC SIC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

Es semiconductor CVD SIC SHARS DESCREPTOR DE BARRIL CUBIENTO: