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Placa superior recubierta de SIC para LPE PE2061S
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Placa superior recubierta de SIC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ha estado profundamente involucrado en productos de recubrimiento de SiC durante muchos años y se ha convertido en un fabricante y proveedor líder de placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S en China. La placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S que proporcionamos está diseñada para reactores epitaxiales de silicio LPE y está ubicada en la parte superior junto con la base del cilindro. Esta placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S tiene excelentes características como alta pureza, excelente estabilidad térmica y uniformidad, lo que ayuda a desarrollar capas epitaxiales de alta calidad. No importa qué producto necesite, esperamos su consulta.

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de placa superior recubierta de SiC en China para LPE PE2061S.

La placa superior recubierta de semiconductores Vetek Sic para LPE PE2061 en equipo epitaxial de silicio, utilizado junto con un susceptor de cuerpo de tipo barril para soportar y mantener las obleas epitaxiales (o sustratos) durante el proceso de crecimiento epitaxial.

La placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S generalmente está hecha de material de grafito estable a altas temperaturas. VeTek Semiconductor considera cuidadosamente factores como el coeficiente de expansión térmica al seleccionar el material de grafito más adecuado, asegurando una fuerte unión con el recubrimiento de carburo de silicio.

La placa superior recubierta de SIC para LPE PE2061s exhibe una excelente estabilidad térmica y resistencia química para resistir el entorno de alta temperatura y corrosiva durante el crecimiento de la epitaxia. Esto garantiza la estabilidad, confiabilidad y protección a largo plazo de las obleas.

En los equipos epitaxiales de silicio, la función principal de todo el reactor recubierto de CVD SiC es soportar las obleas y proporcionar una superficie de sustrato uniforme para el crecimiento de las capas epitaxiales. Además, permite ajustes en la posición y orientación de las obleas, lo que facilita el control de la temperatura y la dinámica de fluidos durante el proceso de crecimiento para lograr las condiciones de crecimiento deseadas y las características de la capa epitaxial.

Los productos de Semiconductor de Vetek ofrecen un grosor de recubrimiento de alta precisión y uniforme. La incorporación de una capa de amortiguación también extiende la vida útil del producto. En el equipo epitaxial de silicio, utilizado junto con un susceptor de cuerpo de tipo barril para soportar y mantener las obleas (o sustratos) epitaxiales durante el proceso de crecimiento epitaxial.


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad 3.21 g/cm³
Dureza 2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano 2 ~ 10 mm
Pureza química 99.99995%
Capacidad de calor 640 j · kg-1· K-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W · m-1· K-1
Expansión térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Comerciante semiconductor

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Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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