Receptor Epi recubierto de SiC

Puede estar seguro de comprar un susceptor EPI recubierto de SIC de nuestra fábrica.

El susceptor EPI recubierto de semiconductores Vetek Sic es el barril epitaxial es una herramienta especial para el proceso de crecimiento epitaxial de semiconductores con muchas ventajas:

● Capacidad de producción eficiente: El susceptor de EPI recubierto de SIC de Vetek Semiconductor puede acomodar múltiples obleas, lo que hace posible realizar un crecimiento epitaxial de múltiples obleas simultáneamente. Esta capacidad de producción eficiente puede mejorar en gran medida la eficiencia de producción y reducir los ciclos y costos de producción.

● Control de temperatura optimizado: El susceptor EPI recubierto de SIC está equipado con un sistema de control de temperatura avanzado para controlar y mantener con precisión la temperatura de crecimiento deseada. El control de temperatura estable ayuda a lograr un crecimiento uniforme de la capa epitaxial y mejorar la calidad y consistencia de la capa epitaxial.

● Distribución uniforme de la atmósfera.: El Epi Susceptor recubierto de SiC proporciona una distribución uniforme de la atmósfera durante el crecimiento, lo que garantiza que cada oblea esté expuesta a las mismas condiciones atmosféricas. Esto ayuda a evitar diferencias de crecimiento entre obleas y mejora la uniformidad de la capa epitaxial.

● Control efectivo de impurezas: El diseño de susceptores EPI recubierto de SIC ayuda a reducir la introducción y difusión de impurezas. Puede proporcionar un buen sellado y control de la atmósfera, reducir el impacto de las impurezas en la calidad de la capa epitaxial y, por lo tanto, mejorar el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

● Desarrollo de procesos flexibles: El susceptor EPI tiene capacidades flexibles de desarrollo de procesos que permiten un rápido ajuste y optimización de los parámetros de crecimiento. Esto permite a los investigadores e ingenieros llevar a cabo un rápido desarrollo y optimización de procesos para satisfacer las necesidades de crecimiento epitaxial de diferentes aplicaciones y requisitos.