Gan Epitaxy Undertaker

GAN Epitaxy es una tecnología avanzada de fabricación de semiconductores utilizada para producir dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento. Según diferentes materiales de sustrato,Obleas epitaxiales de GaNse puede dividir en gan, GaN, GaN, con sede en SIC, Gan con sede en zafiro yGaN-on-Si.

       Esquema simplificado del proceso MOCVD para generar Epitaxy GaN

En la producción de epitaxia GaN, el sustrato no se puede colocar simplemente en algún lugar para la deposición epitaxial, ya que implica varios factores como la dirección del flujo de gas, la temperatura, la presión, la fijación y los contaminantes que caen. Por lo tanto, se necesita una base, y luego el sustrato se coloca en el disco, y luego la deposición epitaxial se realiza en el sustrato utilizando la tecnología CVD. Esta base es el susceptor de epitaxia GAN.

El desajuste de la red entre SIC y GaN es pequeña porque la conductividad térmica de SIC es mucho más alta que la de Gan, Si y Sapphire. Por lo tanto, independientemente de la oblea epitaxial GaN de sustrato, el susceptor de epitaxia GaN con el recubrimiento SIC puede mejorar significativamente las características térmicas del dispositivo y reducir la temperatura de unión del dispositivo.

Misaschas en red y relaciones de desajuste térmico de materiales

El susceptor de epitaxia GAN fabricado por Vetek Semiconductor tiene las siguientes características:

Material: El susceptor está hecho de grafito de alta pureza y un recubrimiento SIC, lo que le permite resistir las altas temperaturas y proporcionar una excelente estabilidad durante la fabricación epitaxial.

Conductividad térmica: Un buen rendimiento térmico permite un control de temperatura preciso, y la buena conductividad térmica del susceptor de epitaxia GaN asegura una deposición uniforme de la epitaxia GaN.

Estabilidad química: el recubrimiento SIC previene la contaminación y la corrosión, por lo que el susceptor de epitaxia GaN puede resistir el entorno químico duro del sistema MOCVD y garantizar la producción normal de epitaxia GaN.

Diseño: El diseño estructural se lleva a cabo de acuerdo con las necesidades del cliente, como susceptores en forma de barril o en forma de panqueques. Diferentes estructuras están optimizadas para diferentes tecnologías de crecimiento epitaxial para garantizar un mejor rendimiento de la oblea y uniformidad de capas.

Cualquiera que sea su necesidad, Vetek Semiconductor puede proporcionarle los mejores productos y soluciones. Esperamos su consulta en cualquier momento.

Propiedades físicas básicas deRecubrimiento sic cvd:

Bota semiconductorShops de susceptores de Epitaxy Gan: