Susceptor epitaxial GaN a base de silicio

El susceptor epitaxial de GaN a base de silicio de Vetekseicon es un componente clave del sistema MOCVD GaN K465i de VEECO para soportar y calentar el sustrato de silicio del material de GaN durante el crecimiento epitaxial. Además, nuestro sustrato epitaxial de silicio GaN utiliza alta pureza,material de grafito de alta calidadcomo sustrato, que proporciona buena estabilidad y conductividad térmica durante el proceso de crecimiento epitaxial. El sustrato es capaz de soportar ambientes de alta temperatura, asegurando la estabilidad y confiabilidad del proceso de crecimiento epitaxial.

Ⅰ. Funciones clave enProceso epitaxial

(1) Proporcionar una plataforma estable para el crecimiento epitaxial.

En el proceso MOCVD, las capas epitaxiales de GaN se depositan sobre sustratos de silicio a altas temperaturas (>1000°C), y el susceptor es responsable de transportar las obleas de silicio y garantizar la estabilidad de la temperatura durante el crecimiento.

El susceptor a base de silicio utiliza un material que es compatible con el sustrato de Si, lo que reduce el riesgo de deformación y agrietamiento de la capa epitaxial de GaN-on-Si al minimizar las tensiones causadas por los desajustes del coeficiente de expansión térmica (CTE).

(2) Optimice la distribución del calor para garantizar la uniformidad epitaxial.

Dado que la distribución de temperatura en la cámara de reacción MOCVD afecta directamente la calidad de la cristalización de GaN, el recubrimiento de SiC puede mejorar la conductividad térmica, reducir los cambios de gradiente de temperatura y optimizar el espesor de la capa epitaxial y la uniformidad del dopaje.

El uso de SiC de alta conductividad térmica o sustrato de silicio de alta pureza ayuda a mejorar la estabilidad térmica y evitar la formación de puntos calientes, mejorando así eficazmente el rendimiento de las obleas epitaxiales.

(3) Optimización del flujo de gas y reducción de la contaminación.

Control de flujo laminar: normalmente el diseño geométrico del susceptor (como la planitud de la superficie) puede afectar directamente el patrón de flujo del gas de reacción. Por ejemplo, Susceptor de Semixlab reduce la turbulencia optimizando el diseño para garantizar que el gas precursor (como TMGa, NH₃) cubra uniformemente la superficie de la oblea, mejorando así en gran medida la uniformidad de la capa epitaxial.

Prevención de la difusión de impurezas: Combinado con la excelente gestión térmica y resistencia a la corrosión del recubrimiento de carburo de silicio, nuestro recubrimiento de carburo de silicio de alta densidad puede evitar que las impurezas en el sustrato de grafito se difundan en la capa epitaxial, evitando la degradación del rendimiento del dispositivo causada por la contaminación por carbono.

Ⅱ. Propiedades físicas deGrafito isostático