GaN basado en silicio susceptor epitaxial

El susceptor epitaxial GaN basado en silicio de Vetekseicon es un componente clave en el sistema K465i GaN MOCVD de Veeco para soportar y calentar el sustrato de silicio del material GaN durante el crecimiento epitaxial. Además, nuestro GaN en el sustrato epitaxial de silicio utiliza la alta pureza,material de grafito de alta calidadcomo sustrato, que proporciona una buena estabilidad y conductividad térmica durante el proceso de crecimiento epitaxial. El sustrato puede resistir entornos de alta temperatura, asegurando la estabilidad y la confiabilidad del proceso de crecimiento epitaxial.

Ⅰ. Roles clave enProceso epitaxial

(1) Proporcionar una plataforma estable para el crecimiento epitaxial

En el proceso de MOCVD, las capas epitaxiales GaN se depositan en sustratos de silicio a altas temperaturas (> 1000 ° C), y el susceptor es responsable de transportar las obleas de silicio y garantizar la estabilidad de la temperatura durante el crecimiento.

El susceptor basado en silicio utiliza un material que es compatible con el sustrato SI, lo que reduce el riesgo de deformación y agrietamiento de la capa epitaxial Gan-on-Si al minimizar los tensiones causadas por el coeficiente de la expansión térmica (CTE).

(2) Optimizar la distribución de calor para garantizar la uniformidad epitaxial

Dado que la distribución de temperatura en la cámara de reacción de MOCVD afecta directamente la calidad de la cristalización de GaN, el recubrimiento SIC puede mejorar la conductividad térmica, reducir los cambios en el gradiente de temperatura y optimizar el grosor de la capa epitaxial y la uniformidad de dopaje.

El uso de alta conductividad térmica SiC o sustrato de silicio de alta pureza ayuda a mejorar la estabilidad térmica y evitar la formación de puntos calientes, mejorando efectivamente el rendimiento de las obleas epitaxiales.

(3) optimizar el flujo de gas y reducir la contaminación

Control de flujo laminar: generalmente el diseño geométrico del susceptor (como la planitud de la superficie) puede afectar directamente el patrón de flujo del gas de reacción. Por ejemplo, el susceptor de Semixlab reduce la turbulencia al optimizar el diseño para garantizar que el gas precursor (como TMGA, NH₃) cubra uniformemente la superficie de la oblea, mejorando en gran medida la uniformidad de la capa epitaxial.

Prevención de la difusión de impurezas: combinada con el excelente manejo térmico y resistencia a la corrosión del recubrimiento de carburo de silicio, nuestro recubrimiento de carburo de silicio de alta densidad puede evitar que las impurezas en el sustrato de grafito se difunan en la capa epitaxial, evitando la degradación del rendimiento del dispositivo causada por la contaminación de carbono de carbono.

Ⅱ. Propiedades físicas deGrafito isostático