Susceptor epitaxial MOCVD para oblea de 4"

VeTek Semiconductor es un fabricante líder profesional de susceptor epitaxial MOCVD de China para obleas de 4" con alta calidad y precio razonable. Bienvenido a contactarnos. El susceptor epitaxial MOCVD para obleas de 4" es un componente crítico en la deposición química de vapor organometálico (MOCVD) proceso, que se utiliza ampliamente para el crecimiento de películas delgadas epitaxiales de alta calidad, incluido el nitruro de galio (GaN), el nitruro de aluminio (AlN), y carburo de silicio (SiC). El susceptor sirve como plataforma para sostener el sustrato durante el proceso de crecimiento epitaxial y desempeña un papel crucial para garantizar una distribución uniforme de la temperatura, una transferencia de calor eficiente y condiciones óptimas de crecimiento.

El susceptor epitaxial de MOCVD para la oblea de 4 "está hecha típicamente de grafito de alta pureza, carburo de silicio u otros materiales con excelente conductividad térmica, inercia química y resistencia al choque térmico.

Aplicaciones:

Los susceptores epitaxiales MOCVD encuentran aplicaciones en diversas industrias, que incluyen:

Electrónica de potencia: crecimiento de transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) basados ​​en GaN para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

Optoelectrónica: crecimiento de diodos emisores de luz (LED) y diodos láser basados ​​en GaN para tecnologías eficientes de iluminación y visualización.

Sensores: crecimiento de sensores piezoeléctricos a base de ALN para la presión, temperatura y detección de onda acústica.

Electrónica de alta temperatura: crecimiento de dispositivos de potencia basados ​​en SIC para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.

Parámetro del producto del susceptor epitaxial MOCVD para oblea de 4"

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

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