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Segmentos de cobertura de recubrimiento SIC
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Segmentos de cobertura de recubrimiento SIC

VTech Semiconductor está comprometido con el desarrollo y comercialización de piezas recubiertas de CVD SIC para reactores de Aixtron. Como ejemplo, nuestros segmentos de cobertura de recubrimiento SIC se han procesado cuidadosamente para producir un denso recubrimiento CVD SIC con excelente resistencia a la corrosión, estabilidad química, bienvenido para discutir escenarios de aplicación con nosotros.

Puede estar seguro de comprar segmentos de cobertura de recubrimiento SIC de nuestra fábrica. La tecnología Micro LEDS está interrumpiendo el ecosistema LED existente con métodos y enfoques que hasta ahora solo se han visto en las industrias LCD o semiconductores. El sistema AixTron G5 MOCVD admite perfectamente estos estrictos requisitos extensionales. Es un poderoso reactor MOCVD diseñado principalmente paraCrecimiento de la epitaxia GaN basada en silicio.


Aixtron G5es un sistema de epitaxia de disco planetario horizontal, que consiste principalmente en componentes como el disco planetario de recubrimiento SIC CVD, el susceptor MOCVD, los segmentos de la cubierta de recubrimiento SIC, el anillo de cubierta de recubrimiento SIC, el techo de recubrimiento SIC, el anillo de soporte de recubrimiento SIC, el disco de la cubierta de recubrimiento SIC, el colector de escape de recubrimiento SIC, la lavadora, el anillo de coleccionista innet, el anillo inutleto, el anillo inalleto, el anillo inalleto de la coleccionista, el anillo de recubrimiento SIC.


Como fabricante de recubrimiento SIC CVD, Vetek Semiconductor ofrece segmentos de cobertura de recubrimiento Aixtron G5 SIC. Estos susceptores están hechos de grafito de alta pureza y cuentan con unRecubrimiento sic cvdcon impureza por debajo de 5ppm.


Los productos de la cubierta de recubrimiento CVD SIC exhiben una excelente resistencia a la corrosión, conductividad térmica superior y estabilidad de alta temperatura. Estos productos resisten efectivamente la corrosión y la oxidación química, asegurando la durabilidad y la estabilidad en entornos hostiles. La conductividad térmica sobresaliente permite una transferencia de calor eficiente, mejorando la eficiencia de gestión térmica. 


Con su estabilidad y resistencia de alta temperatura al choque térmico, los recubrimientos SIC CVD pueden soportar condiciones extremas. Prevengan la disolución y oxidación del sustrato de grafito, reduciendo la contaminación y mejorando la eficiencia de producción y la calidad del producto. La superficie de recubrimiento plana y uniforme proporciona una base sólida para el crecimiento de la película, minimizando los defectos causados ​​por la falta de coincidencia y la mejora de la cristalinidad y calidad de la película. En resumen, los productos de grafito recubiertos de CVD SIC ofrecen soluciones de materiales confiables para diversas aplicaciones industriales, combinando resistencia de corrosión excepcional, conductividad térmica y estabilidad de alta temperatura.


Datos SEM de CVD SIC Film

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad de recubrimiento sic 3.21 g/cm³
Dureza de recubrimiento SIC CVD 2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano 2 ~ 10 mm
Pureza química 99.99995%
Capacidad de calor 640 j · kg-1· K-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W · m-1· K-1
Expansión térmica (CTE) 4.5 × 10-6 ·K-1

Es semiconductorSEC de recubrimiento SIC SEGMENTOS DE PRODUCTOS:

SiC Coated Wafer CarrierAixtron equipmentCVD SiC Focus RingSemiconductor process Equipment

Descripción general del semiconductor Cadena de la industria de la epitaxia de chips:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

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