Susceptor de MOCVD recubierto de SIC

Vekekemicon'sMOCVD susceptores epitaxialesestán diseñados para soportar entornos de alta temperatura y condiciones químicas duras comunes en el proceso de producción de obleas. A través de la ingeniería de precisión, estos componentes se adaptan para cumplir con los requisitos estrictos de los sistemas de reactores epitaxiales. 

Nuestros susceptores epitaxiales de MOCVD están hechos de sustratos de grafito de alta calidad recubiertos con una capa decarburo de silicio (sic), que no solo tiene una excelente resistencia de alta temperatura y corrosión, sino que también garantiza una distribución de calor uniforme, lo cual es fundamental para mantener una deposición de película epitaxial consistente.

Además, nuestros susceptores de semiconductores tienen un excelente rendimiento térmico, lo que permite un control de temperatura rápido y uniforme para optimizar el proceso de crecimiento de semiconductores. Son capaces de resistir el ataque de alta temperatura, oxidación y corrosión, asegurando una operación confiable incluso en los entornos operativos más desafiantes.

Además, los susceptores MOCVD de recubrimiento de carburo de silicio están diseñados con un enfoque en la uniformidad, lo cual es fundamental para lograr sustratos de cristal único de alta calidad. El logro de la planitud es esencial para lograr un excelente crecimiento de un solo cristal en la superficie de la oblea.

En Veteksemicon, nuestra pasión por exceder los estándares de la industria es tan importante como nuestro compromiso con la rentabilidad para nuestros socios. Nos esforzamos por proporcionar productos como el susceptor epitaxial MOCVD para satisfacer las necesidades siempre cambiantes de la fabricación de semiconductores y anticipar sus tendencias de desarrollo para garantizar que su operación esté equipada con las herramientas más avanzadas. Esperamos construir una asociación a largo plazo con usted y proporcionarle soluciones de calidad.