Soporte de mocvd

Como elRecubrimiento sic cvdFabricante, Vetek Semiconductor tiene la capacidad de proporcionarle susceptores MOCVD Aixtron G5 que está hecho de grafito de alta pureza y recubrimiento CVD SIC (por debajo de 5 ppm). 

La tecnología Micro LEDS está interrumpiendo el ecosistema LED existente con métodos y enfoques que hasta ahora solo se han visto en las industrias LCD o semiconductores, y el sistema AixTron G5 MOCVD respalda perfectamente estos estrictos requisitos extensionales. El Aixtron G5 es uno de los reactores MOCVD más potentes diseñados principalmente para el crecimiento de la epitaxia GaN basada en silicio.

Es esencial que todas las obleas epitaxiales producidas tengan una distribución de longitud de onda muy ajustada y niveles de defectos de superficie muy bajos, lo que requiere innovadoresTecnología MOCVD.

Aixtron G5 es un sistema de epitaxia de disco planetario horizontal, principalmente disco planetario, susceptor MOCVD, anillo de cubierta, techo, anillo de soporte, disco de cubierta, coleccionista de exhuastos, lavadora de alfiler, anillo de entrada de colección, etc., los materiales principales de producto son CVD SIC SIC+grafito de alta pureza, semiconductor cuartz,Recubrimiento TAC CVD+Grafito de alta pureza,fieltro rígidoy otros materiales.

Las características de los susceptores de MOCVD son las siguientes

✔ Protección de material base: El recubrimiento CVD SIC actúa como una capa protectora en el proceso epitaxial, que puede evitar efectivamente la erosión y el daño del entorno externo al material base, proporcionar medidas protectores confiables y extender la vida útil del equipo.

✔ Excelente conductividad térmica: El recubrimiento SIC CVD tiene una excelente conductividad térmica y puede transferir rápidamente el calor del material base a la superficie de recubrimiento, mejorando la eficiencia de gestión térmica durante la epitaxia y garantizar que el equipo funcione dentro del rango de temperatura apropiado.

✔ Mejorar la calidad de la película: El recubrimiento SIC CVD puede proporcionar una superficie plana y uniforme, proporcionando una buena base para el crecimiento de la película. Puede reducir los defectos causados ​​por la falta de coincidencia de la red, mejorar la cristalinidad y la calidad de la película y, por lo tanto, mejorar el rendimiento y la confiabilidad de la película epitaxial.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD: