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Cabezal de ducha de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) CVD
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Cabezal de ducha de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) CVD

Si alguna vez ha tenido que lidiar con un flujo de gas desigual o contaminación por partículas en una cámara de deposición, el cabezal de ducha de grafito recubierto de SiC CVD VETEK está diseñado para resolverlo. Comienza con grafito isostático de alta pureza para lograr estabilidad térmica y fácil mecanizado, luego obtiene un recubrimiento denso de carburo de silicio (SiC) CVD que sella la superficie, resiste gases corrosivos (como HCl o NF₃) y evita la desgasificación. El resultado es una placa de distribución de gas que proporciona un flujo uniforme a través de la oblea, soporta epitaxia de alta temperatura y dura mucho más que el grafito o el cuarzo desnudo, lo que la convierte en un componente confiable para procesos CVD, PECVD, MOCVD, epitaxia de silicio y epitaxia de SiC. También ofrecemos patrones y tamaños de orificios personalizados, porque no hay dos reactores exactamente iguales.

Características clave

• Pureza ultraalta: el revestimiento de SiC sella el grafito por completo, por lo que no se produce desgasificación ni contaminación del metal.

• Excelente distribución del gas: cada cabezal de ducha está mecanizado para ofrecer una velocidad de gas constante en toda la oblea.

• Resistencia superior a la corrosión: CVD SiC no reacciona con halógenos ni residuos de procesos. Dura mucho más que el grafito o el cuarzo desnudos.

• Excelente rendimiento térmico: el recubrimiento coincide estrechamente con la expansión térmica del grafito, por lo que no se agrieta durante los rápidos aumentos de temperatura.

• Fabricación de precisión: utilizamos mecanizado CNC y recubrimiento CVD interno. Los diámetros y patrones de los orificios se mantienen con tolerancias estrictas.


Especificaciones técnicas



Aplicaciones

Estos cabezales de ducha se utilizan en:

• Sistemas CVD de semiconductores (tanto de producción como de I+D)

• Equipo PECVD – dieléctricos de baja temperatura

• Reactores MOCVD: compuestos III-V como GaN, InP

• Epitaxia de silicio (Si Epi): para dispositivos de alimentación y CMOS

• Epitaxia de SiC: electrónica de potencia de alto voltaje

• Fábricas de semiconductores compuestos

• Embalaje avanzado (por ejemplo, deposición de revestimiento TSV)

• Cualquier herramienta de película delgada que necesite un distribuidor de gas de alta pureza y resistente a la corrosión.



¿Por qué elegir VETEK?

• No somos una empresa comercial. Todo, desde el mecanizado de grafito hasta el recubrimiento final de SiC CVD, se realiza internamente. Eso significa que controlamos la calidad, el tiempo de entrega y el costo.

• Fabricación interna completa: sin sorpresas de subcontratación

• Tecnología de recubrimiento avanzada: CVD SiC denso y sin poros

• Soporte de ingeniería personalizado: envíenos el dibujo de su cabezal de ducha o simplemente el modelo del reactor.

• Cadena de suministro de semiconductores confiable: hemos estado suministrando a fábricas y fabricantes de equipos originales durante años

• No es necesario volver a calificar un diseño nuevo cada vez. Ya hemos revestido rociadores para muchas plataformas comunes (AMAT, TEL, LAM, ASM, etc.).


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Datos de contacto
  • DIRECCIÓN

    Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China

  • Teléfono

    +86-18069220752

  • Correo electrónico

    anny@veteksemi.com

Si tiene consultas sobre recubrimiento de carburo de silicio, recubrimiento de carburo de tantalio, grafito especial o lista de precios, déjenos su correo electrónico y nos comunicaremos con usted dentro de las 24 horas.
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