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Recubrimiento de SiC Bandeja epitaxial de silicio monocristalino
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Recubrimiento de SiC Bandeja epitaxial de silicio monocristalino

La bandeja epitaxial de silicio monocristalino de SIC es un accesorio importante para el horno de crecimiento epitaxial de silicio monocristalino, asegurando una contaminación mínima y un entorno de crecimiento epitaxial estable. La bandeja epitaxial monocristalina de recubrimiento SIC de Vetek Semiconductor tiene una vida útil ultra larga y proporciona una variedad de opciones de personalización. El semiconductor de Vetek espera convertirse en su socio a largo plazo en China.

La bandeja epitaxial de silicio monocristalino de SIC de Vetek Semiconductor está especialmente diseñada para el crecimiento epitaxial de silicio monocristalino y juega un papel importante en la aplicación industrial de la epitaxia de silicio monocristalina y los dispositivos semiconductores relacionados.Recubrimiento de SiCno solo mejora significativamente la resistencia a la temperatura y la corrosión de la bandeja, sino que también garantiza una estabilidad a largo plazo y un excelente rendimiento en entornos extremos.


Ventajas del recubrimiento SIC


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

● Conductividad térmica alta: El recubrimiento de SiC mejora en gran medida la capacidad de gestión térmica de la bandeja y puede dispersar eficazmente el calor generado por dispositivos de alta potencia.


●  Resistencia a la corrosión: El recubrimiento SIC funciona bien en entornos de alta temperatura y corrosivos, asegurando la vida útil y la confiabilidad a largo plazo.


● Uniformidad superficial: Proporciona una superficie plana y lisa, evitando eficazmente errores de fabricación causados ​​por irregularidades de la superficie y asegurando la estabilidad del crecimiento epitaxial.


Según la investigación, cuando el tamaño de poro del sustrato de grafito está entre 100 y 500 nm, se puede preparar un recubrimiento de gradiente SIC en el sustrato de grafito, y el recubrimiento SIC tiene una capacidad antioxidación más fuerte. La resistencia a la oxidación del recubrimiento SIC en este grafito (curva triangular) es mucho más fuerte que la de otras especificaciones de grafito, adecuada para el crecimiento de la epitaxia de silicio de cristal único. La bandeja de silicio monocristalina de SIC de vetek semiconductor usa el grafito SGL como elsustrato de grafito, que es capaz de lograr tal rendimiento.


La bandeja epitaxial monocristalina de recubrimiento SIC de Vetek Semiconductor utiliza los mejores materiales de grafito y la tecnología de procesamiento de recubrimiento SIC más avanzada. Lo más importante, no importa qué necesidades de personalización de productos tenga los clientes, podemos hacer todo lo posible para cumplir.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad
3.21 g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Grano size
2 ~ 10 mm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica
640 j · kg-1·k-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W · m-1·k-1
Expansión térmica (CTE)
4.5 × 10-6K-1

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