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Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China
Información general del producto
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Lugar de origen: |
Porcelana |
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Nombre de marca: |
mi rival |
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Número de modelo: |
Receptor EPI Parte 01 |
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Proceso de dar un título: |
ISO9001 |
Términos comerciales del producto
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Cantidad mínima de pedido: |
Sujeto a negociación |
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Precio: |
Contacto para cotización personalizada |
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Detalles de empaquetado: |
Paquete de exportación estándar |
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El tiempo de entrega: |
Tiempo de entrega: 30-45 días después de la confirmación del pedido |
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Condiciones de pago: |
T/T |
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Capacidad de suministro: |
100 unidades/mes |
✔ Solicitud: En la búsqueda del máximo rendimiento y rendimiento en los procesos epitaxiales de SiC, Veteksemicon EPI Susceptor proporciona una excelente estabilidad térmica y uniformidad, convirtiéndose en un soporte clave para mejorar el rendimiento de los dispositivos de energía y RF y reducir los costos generales.
✔ Servicios que se pueden proporcionar: análisis de escenarios de aplicación del cliente, combinación de materiales, resolución de problemas técnicos.
✔ Perfil de la empresa:Veteksemicon cuenta con 2 laboratorios, un equipo de expertos con 20 años de experiencia en materiales, con capacidades de I+D y producción, pruebas y verificación.
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proyecto |
parámetro |
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Materia prima |
Grafito isostático de alta pureza |
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material de revestimiento |
SiC CVD de alta pureza |
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Espesor del revestimiento |
La personalización está disponible para cumplir con los requisitos de proceso del cliente (valor típico: 100 ± 20 μm). |
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Pureza |
> 99,9995% (recubrimiento de SiC) |
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Temperatura máxima de funcionamiento |
> 1650°C |
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Coeficiente de expansión térmica. |
Buena combinación con obleas de SiC |
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Rugosidad de la superficie |
Ra < 1,0 μm (ajustable bajo pedido) |
1. Garantizar la máxima uniformidad
En los procesos epitaxiales de carburo de silicio, incluso las fluctuaciones de espesor a nivel de micras y las faltas de homogeneidad del dopaje afectan directamente el rendimiento y el rendimiento del dispositivo final. Veteksemicon EPI Susceptor logra una distribución óptima del campo térmico dentro de la cámara de reacción mediante una simulación termodinámica precisa y un diseño estructural. Nuestra selección de un sustrato de alta conductividad térmica, combinado con un proceso de tratamiento de superficie único, garantiza que las diferencias de temperatura en cualquier punto de la superficie de la oblea se controlen dentro de un rango extremadamente pequeño incluso en entornos de rotación de alta velocidad y altas temperaturas. El valor directo que esto aporta es una capa epitaxial de lote a lote altamente reproducible con excelente uniformidad, lo que sienta una base sólida para la fabricación de chips de potencia altamente consistentes y de alto rendimiento.
2. Resistir el desafío de las altas temperaturas
Los procesos epitaxiales de SiC suelen requerir un funcionamiento prolongado a temperaturas superiores a 1500 °C, lo que supone un grave desafío para cualquier material. Veteksemicon Susceptor utiliza grafito prensado isostáticamente tratado especialmente, cuya resistencia a la flexión a alta temperatura y resistencia a la fluencia superan con creces las del grafito ordinario. Incluso después de cientos de horas de ciclos térmicos continuos a alta temperatura, nuestro producto mantiene su geometría inicial y resistencia mecánica, previniendo eficazmente la deformación, el deslizamiento o los riesgos de contaminación de la cavidad del proceso causados por la deformación de la bandeja, garantizando fundamentalmente la continuidad y seguridad de las actividades de producción.
3. Maximizar la estabilidad del proceso
Las interrupciones de la producción y el mantenimiento no planificado son los principales factores que reducen los costes en la fabricación de obleas. Veteksemicon considera la estabilidad del proceso como una métrica fundamental para Susceptor. Nuestro recubrimiento CVD SiC patentado es denso, no poroso y tiene una superficie lisa similar a un espejo. Esto no solo reduce significativamente el desprendimiento de partículas bajo un flujo de aire a alta temperatura, sino que también ralentiza significativamente la adhesión de los subproductos de la reacción (como el SiC policristalino) a la superficie de la bandeja. Esto significa que su cámara de reacción puede permanecer limpia durante períodos más largos, ampliando los intervalos entre la limpieza y el mantenimiento regulares, mejorando así la utilización y el rendimiento general del equipo.
4. Prolongar la vida útil
Como componente consumible, la frecuencia de reemplazo de los susceptores impacta directamente en los costos operativos de producción. Veteksemicon extiende la vida útil del producto mediante un enfoque tecnológico dual: "optimización del sustrato" y "mejora del recubrimiento". Un sustrato de grafito de alta densidad y baja porosidad ralentiza eficazmente la penetración y corrosión del sustrato por los gases de proceso; Al mismo tiempo, nuestro recubrimiento de SiC grueso y uniforme actúa como una barrera robusta, suprimiendo significativamente la sublimación a altas temperaturas. Las pruebas del mundo real muestran que, bajo las mismas condiciones de proceso, los susceptores de Veteksemicon exhiben una tasa de degradación del rendimiento más lenta y una vida útil efectiva más larga, lo que resulta en menores costos operativos por oblea.
5. Aval de verificación de la cadena ecológica
La verificación de la cadena ecológica de Veteksemicon EPI Susceptor Part abarca desde las materias primas hasta la producción, ha pasado la certificación estándar internacional y tiene una serie de tecnologías patentadas para garantizar su confiabilidad y sostenibilidad en los campos de semiconductores y nuevas energías.
Para obtener especificaciones técnicas detalladas, documentos técnicos o arreglos de prueba de muestra, comuníquese con nuestro equipo de soporte técnico para explorar cómo Veteksemicon puede mejorar la eficiencia de su proceso.
Principales campos de aplicación
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Dirección de aplicación |
Escenario típico |
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Electrónica de potencia |
Dispositivos de potencia como MOSFET de SiC y diodos Schottky utilizados en la fabricación de vehículos eléctricos y motores industriales. |
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Comunicación por radiofrecuencia |
Capas epitaxiales para el crecimiento de dispositivos amplificadores de potencia de radiofrecuencia (HEMT RF) de GaN-on-SiC para radares y estaciones base 5G. |
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Investigación y desarrollo de vanguardia |
Sirve para el desarrollo de procesos y la verificación de estructuras de dispositivos y materiales semiconductores de banda ancha de próxima generación. |
Almacén de productos mi rival
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