AMAT 0200-03201 Pasador de elevación de oblea CVD SiC

Características del producto

 ● Núcleo de grafito de alta pureza + revestimiento CVD SiC: diseñado para la producción real de semiconductores.

 ● Maneja recorridos de epitaxia a alta temperatura sin perder estabilidad mecánica ciclo tras ciclo.

 ● La forma de pared delgada reduce la masa térmica y mejora la precisión del manejo de las obleas.

 ● La capa de SiC resiste gases de proceso agresivos y limpieza química.

 ● Un recubrimiento suave y uniforme significa menos desprendimiento de partículas y un procesamiento más estable. Mantenemos tolerancias estrictas con el mecanizado CNC para piezas semiconductoras críticas.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC

Aplicaciones

 ● Epitaxia de silicio (Si EPI): levantamiento, posicionamiento y movimiento de obleas dentro de reactores de 300 mm.

 ● Procesamiento general de obleas semiconductoras donde se necesita estabilidad térmica, resistencia a la corrosión, pocas partículas y una larga vida útil.

 ● Cámaras de epitaxia AMAT y sistemas de manipulación de obleas compatibles.

¿Por qué elegir VeTek Semiconductor?

 ● Grafito recubierto de SiC de alta pureza diseñado para uso en semiconductores.

 ● Tanto la estabilidad térmica como la resistencia química son sólidas.

 ● Mantenga tolerancias estrictas: lo nuestro es el mecanizado de precisión.

 ● Compatible con AMAT, ASM, Aixtron y LPE.