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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Vetek Semiconductor es un fabricante líder y proveedor de susceptor de grafito recubierto de SIC para MOCVD en China, especializado en aplicaciones de recubrimiento SIC y productos semiconductores epitaxiales para la industria de los semiconductores. Nuestros susceptores de grafito recubiertos de MOCVD ofrecen calidad y precios competitivos, sirviendo a los mercados en Europa y América. Estamos comprometidos a convertirnos en su socio de confianza a largo plazo para avanzar en la fabricación de semiconductores.

El susceptor de grafito recubierto de SIC de Vetek Semiconductor para MOCVD es un portador de grafito recubierto de SIC de alta pureza, diseñado específicamente para el crecimiento de la capa epitaxial en chips de obleas. Como componente central en el procesamiento de MOCVD, típicamente con forma de engranaje o anillo, cuenta con una resistencia al calor excepcional y una resistencia a la corrosión, lo que garantiza la estabilidad en entornos extremos.


Características clave del susceptor de grafito recubierto de SiC MOCVD:


●   Revestimiento resistente a las escamas: Garantiza una cobertura uniforme del recubrimiento de SiC en todas las superficies, lo que reduce el riesgo de desprendimiento de partículas.

●   Excelente resistencia a la oxidación a altas temperaturasce: Permanece estable a temperaturas de hasta 1600°C

●   Alta pureza: Fabricado mediante deposición química de vapor CVD, adecuado para condiciones de cloración a alta temperatura

●   Resistencia superior a la corrosión: Altamente resistente a los ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos

● Patrón de flujo de aire laminar optimizado: Mejora la uniformidad de la dinámica del flujo de aire

● Distribución térmica uniforme: Garantiza una distribución estable del calor durante procesos de alta temperatura

●   Prevención de la contaminación: Previene la difusión de contaminantes o impurezas, asegurando la limpieza de las obleas.


En VeTek Semiconductor, cumplimos con estrictos estándares de calidad y brindamos productos y servicios confiables a nuestros clientes. Seleccionamos solo materiales de primera calidad, esforzándonos por cumplir y superar los requisitos de rendimiento de la industria. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD ejemplifica este compromiso con la calidad. Contáctenos para obtener más información sobre cómo podemos satisfacer sus necesidades de procesamiento de obleas semiconductoras.


ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC:


SEM DATA OF CVD SIC FILM


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad
3.21 g/cm³
Dureza
2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano
2 ~ 10 mm
Pureza química
99,99995%
Capacidad de calor
640 J·kg-1· K-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1· K-1
Expansión Térmica (CTE)
4.5 × 10-6K-1



Semiconductores VeTek Mocvd Receptor de grafito recubierto de SiC:

VeTekSemi MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor


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