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Susceptor recubierto de SiC MOCVD
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Susceptor recubierto de SiC MOCVD

El susceptor recubierto de SiC VETEK MOCVD es una solución portadora de ingeniería de precisión desarrollada específicamente para el crecimiento epitaxial de LED y semiconductores compuestos. Demuestra una uniformidad térmica excepcional y una inercia química dentro de entornos MOCVD complejos. Aprovechando el riguroso proceso de deposición de CVD de VETEK, estamos comprometidos a mejorar la consistencia del crecimiento de las obleas y extender la vida útil de los componentes centrales, brindando garantía de rendimiento estable y confiable para cada lote de su producción de semiconductores.

Parámetros técnicos


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
FCC fase β policristalina, principalmente orientación (111)
Densidad
3,21 g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano
2~10μm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica
640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC


Definición y composición del producto


El susceptor recubierto de SiC VETEK MOCVD es un componente portador de obleas de primera calidad diseñado específicamente para el procesamiento epitaxial de semiconductores de tercera generación, como GaN y SiC. Este producto integra las propiedades físicas superiores de dos materiales de alto rendimiento:


Sustrato de grafito de alta pureza: Fabricado con tecnología de prensado isostático para garantizar que el material base posea una integridad estructural excepcional, alta densidad y estabilidad de procesamiento térmico.

Recubrimiento CVD SiC: Una capa protectora densa y libre de estrés de carburo de silicio (SiC) se desarrolla sobre la superficie del grafito mediante tecnología avanzada de deposición química de vapor (CVD).


Por qué VETEK es su garantía de rendimiento


Máxima precisión en control de uniformidad térmica: A diferencia de los portadores convencionales, los susceptores VETEK logran una transferencia de calor altamente sincronizada en toda la superficie mediante un control de precisión a escala nanométrica del espesor del recubrimiento y la resistencia térmica. Esta sofisticada gestión térmica minimiza eficazmente la desviación estándar de la longitud de onda (STD) en la superficie de la oblea, lo que mejora significativamente tanto la calidad de una sola oblea como la consistencia general del lote.

Protección a largo plazo con cero contaminación de partículas: En las cámaras de reacción MOCVD que contienen gases altamente corrosivos, los pedestales de grafito ordinarios son propensos a la descamación de partículas. El recubrimiento CVD SiC de VETEK posee una inercia química excepcional, actuando como un escudo impenetrable que sella los microporos de grafito. Esto asegura el aislamiento total de las impurezas del sustrato, evitando cualquier contaminación de las capas epitaxiales de GaN o SiC.

Excepcional resistencia a la fatiga y vida útil:Gracias al proceso de tratamiento de interfaz patentado de VETEK, nuestro recubrimiento de SiC logra una expansión térmica optimizada que coincide con el sustrato de grafito. Incluso bajo ciclos térmicos de alta frecuencia entre temperaturas extremas, el recubrimiento mantiene una adhesión superior sin pelarse ni desarrollar microfisuras. Esto reduce significativamente la frecuencia del mantenimiento de repuestos y reduce el costo total de propiedad.


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