Anillo superior de epitaxia recubierto de carburo de silicio (SiC) CVD de 8 pulgadas

Características clave del anillo superior SiC Epi de 8 pulgadas

● Alta Pureza: 99,9995% mínimo. El metal no migrará a la capa epi. Esto mantiene la concentración del portador de oblea donde debe estar.

● Supresión de partículas: la estructura CVD es densa. Sin poros. No arrojará partículas mientras la herramienta esté funcionando. Las fábricas obtienen mejores rendimientos de esta manera.

● Resistencia al calor: El anillo se mantiene estable a 1500°C. Un CTE (expansión térmica) bajo significa que no se deforma durante los ciclos rápidos de calentamiento/enfriamiento.

● Estabilidad química: El CVD SiC sólido resiste los gases H2 y HCl. También resiste el NH3. No tiene ninguna capa que despegar. No se degrada en entornos CVD hostiles.

● Vida útil de los componentes: La superficie es extremadamente dura. Sobrevive a repetidas limpiezas químicas con HF/HCl. Esto reduce la frecuencia de reemplazo. También reduce el costo total de propiedad de la fábrica.

Especificaciones técnicas

La uniformidad del espesor del recubrimiento entre lotes se controla a 10 um.

Aplicaciones

El anillo superior CVD SiC epi se usa ampliamente en:

● Reactores de epitaxia de silicio (Si Epi)

● Epitaxia de carburo de silicio (SiC Epi)

● Sistemas MOCVD

● Equipo de deposición de CVD

Comúnmente emparejado con:

● Susceptores

● Portadores de obleas

● Precalentar los anillos

● Reactores de epitaxia

¿Por qué elegir el anillo superior VETEK SiC Epi?

● Capacidad de fabricación total: 

Desde la purificación de la materia prima hasta el mecanizado de precisión y el recubrimiento CVD, VETEK controla todo el proceso de producción para garantizar una calidad uniforme de grado semiconductor.

● Alta precisión: 

Utilizamos mecanizado a nivel de micras. El espesor del CVD es muy uniforme. Esto hace que cada anillo funcione exactamente de la misma manera.

Preguntas frecuentes

(1) ¿Qué hace el anillo superior SiC epi?

El anillo gestiona el calor y el flujo de gas. Asegura que la fina película crezca uniformemente a lo largo de la oblea.

(2) ¿Por qué CVD SiC es mejor que el grafito?

El grafito es poroso. El grafito tiene poros y libera gas. El CVD SiC sólido es denso y limpio. Dura mucho más en herramientas corrosivas.

(3) ¿Se puede personalizar el anillo superior de SiC de 8 pulgadas?

Sí. Construimos según sus dibujos de herramientas específicos. Podemos ajustar la geometría según su proceso.

(4) ¿Qué industrias utilizan anillos de epitaxia de SiC?

Se utilizan principalmente en la fabricación de semiconductores, incluidos dispositivos de potencia, dispositivos de RF y producción de obleas de SiC.