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Susceptor de grafito recubierto de SiC para ASM
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Susceptor de grafito recubierto de SiC para ASM

El susceptor de grafito recubierto de SiC Veteksemicon para ASM es un componente portador central en procesos epitaxiales de semiconductores. Este producto utiliza nuestra tecnología patentada de recubrimiento de carburo de silicio pirolítico y procesos de mecanizado de precisión para garantizar un rendimiento superior y una vida útil ultralarga en entornos de procesos corrosivos y de alta temperatura. Entendemos profundamente los estrictos requisitos de los procesos epitaxiales en cuanto a pureza del sustrato, estabilidad térmica y consistencia, y estamos comprometidos a brindar a los clientes soluciones estables y confiables que mejoren el rendimiento general del equipo.

Información general del producto


Lugar de origen:
Porcelana
Nombre de marca:
mi rival
Número de modelo:
Susceptor de grafito recubierto de SiC para ASM-01
Proceso de dar un título:
ISO9001


Términos comerciales del producto


Cantidad mínima de pedido:
Sujeto a negociación
Precio:
Contacto para cotización personalizada
Detalles de empaquetado:
Paquete de exportación estándar
El tiempo de entrega:
Tiempo de entrega: 30-45 días después de la confirmación del pedido
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de suministro:
100 unidades/mes


✔ Aplicación: El sustrato de grafito recubierto de SiC de Veteksemicon es un consumible clave para los equipos epitaxiales de la serie ASM. Soporta directamente la oblea y proporciona un campo térmico uniforme y estable durante la epitaxia a alta temperatura, lo que la convierte en un componente central para garantizar el crecimiento de alta calidad de materiales semiconductores avanzados como GaN y SiC.

✔ Servicios que se pueden brindar: análisis de escenarios de aplicación del cliente, combinación de materiales, resolución de problemas técnicos. 

✔Perfil de empresa:Veteksemicon cuenta con 2 laboratorios, un equipo de expertos con 20 años de experiencia en materiales, con capacidades de I+D y producción, pruebas y verificación.


Parámetros técnicos


proyecto
parámetro
Modelos aplicables
Equipo epitaxial serie ASM
Materia prima
Grafito isostático de alta pureza y alta densidad.
material de revestimiento
Carburo de silicio pirolítico de alta pureza
Espesor del revestimiento
El espesor estándar es de 80-150 μm (personalizable según los requisitos del proceso del cliente)
Rugosidad de la superficie
La superficie del recubrimiento Ra ≤ 0,5 μm (el pulido se puede realizar según los requisitos del proceso)
Garantía de coherencia
Cada producto se somete a rigurosas pruebas de apariencia, dimensiones y corrientes parásitas antes de salir de fábrica para garantizar una calidad estable y confiable.


Susceptor de grafito recubierto de SiC Veteksemicon para ventajas centrales de ASM


1. Pureza extrema y baja tasa de defectos

Utilizando un sustrato de grafito especial de alta pureza y grado de partículas finas, combinado con nuestro proceso de recubrimiento por deposición química de vapor (CVD) estrictamente controlado, garantizamos que el recubrimiento sea denso, libre de poros y de impurezas. Esto reduce significativamente el riesgo de contaminación por partículas durante el proceso epitaxial, proporcionando un entorno de sustrato limpio para el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad.


2. Excelente resistencia a la corrosión y al desgaste.

El recubrimiento de carburo de silicio pirolítico posee una dureza e inercia química extremadamente altas, resistiendo eficazmente la erosión de fuentes de silicio (como SiH4, SiHCl3), fuentes de carbono (como C3H8) y gases de grabado (como HCl, H2) a altas temperaturas. Esto extiende significativamente el ciclo de mantenimiento de la base y reduce el tiempo de inactividad de la máquina causado por el reemplazo de componentes.


3. Excelente uniformidad térmica y estabilidad.

Optimizamos la distribución del campo térmico dentro del rango de temperatura de funcionamiento mediante un diseño preciso de la estructura del sustrato y un control del espesor del recubrimiento. Esto se traduce directamente en una excelente uniformidad de espesor y resistividad en la oblea epitaxial, lo que contribuye a mejorar el rendimiento de fabricación del chip.


4. Excelente fuerza de adhesión del recubrimiento

La exclusiva tecnología de pretratamiento de superficie y recubrimiento en gradiente permite que el recubrimiento de carburo de silicio forme una fuerte capa de unión con el sustrato de grafito, lo que previene eficazmente los problemas de desprendimiento, descamación o agrietamiento del recubrimiento que pueden ocurrir durante el ciclo térmico a largo plazo.


5. Tamaño preciso y replicación estructural.

Poseemos capacidades maduras de prueba y mecanizado CNC, lo que nos permite replicar completamente la geometría compleja, las dimensiones de la cavidad y las interfaces de montaje de la base original, garantizando una combinación perfecta y una funcionalidad plug-and-play con la plataforma del cliente.


6. Aval de verificación de la cadena ecológica

El susceptor de grafito recubierto de SiC de Veteksemicon para la verificación de la cadena ecológica de ASM abarca desde las materias primas hasta la producción, ha pasado la certificación estándar internacional y tiene una serie de tecnologías patentadas para garantizar su confiabilidad y sostenibilidad en los campos de semiconductores y nuevas energías.

Para obtener especificaciones técnicas detalladas, documentos técnicos o arreglos de prueba de muestra, comuníquese con nuestro equipo de soporte técnico para explorar cómo Veteksemicon puede mejorar la eficiencia de su proceso.


Principales campos de aplicación


Dirección de aplicación
Escenario típico
Fabricación de dispositivos de potencia de SiC.
En el crecimiento homoepitaxial de SiC, el sustrato soporta directamente el sustrato de carburo de silicio, enfrentando altas temperaturas de más de 1600 °C y un ambiente de gas altamente grabable.
Fabricación de dispositivos de potencia y RF basados ​​en silicio
Se utiliza para hacer crecer capas epitaxiales sobre sustratos de silicio, lo que sirve como base para la fabricación de dispositivos de potencia de alta gama, como transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), MOSFET de superunión y dispositivos de radiofrecuencia (RF).
Epitaxia de semiconductores compuestos de tercera generación
Por ejemplo, en el crecimiento heteroepitaxial de GaN-on-Si (nitruro de galio sobre silicio), sirve como componente clave que soporta sustratos de zafiro o silicio.


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