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Componente de techo Aixtron G5+
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Componente de techo Aixtron G5+

Vetek Semiconductor se ha convertido en un proveedor de consumibles para muchos equipos de MOCVD con sus capacidades de procesamiento superiores. El componente de techo AixTron G5+ es uno de nuestros últimos productos, que es casi el mismo que el componente original de AixTron y ha recibido buenos comentarios de los clientes. Si necesita dichos productos, comuníquese con Vetek Semiconductor.

El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de banda ancha ancho con excelentes propiedades físicas como alta movilidad de electrones, campo eléctrico de alta ruptura y velocidad de electrones de alta saturación. Se usa ampliamente en dispositivos optoelectrónicos (como diodos emisores de luz, diodos láser) y dispositivos electrónicos de alta potencia de alta frecuencia (como amplificadores de potencia). Silicon (SI) es un material de sustrato semiconductores de uso común con las ventajas de bajo costo, gran tamaño y compatibilidad con los procesos de circuitos integrados basados ​​en silicio existentes. Por lo tanto, el crecimiento de las capas epitaxiales GaN en SI es un tema de investigación muy valioso. La serie AixTron G5+ es uno de los equipos de crecimiento epitaxial GaN más populares basados ​​en SI en la actualidad, que tiene muchos componentes importantes, y el componente del techo es uno de los componentes importantes.


Aixtron G5+ ceiling working diagram

El componente de techo AixTron G5+ está hecho de grafito SGL. La función principal es controlar la temperatura y garantizar el flujo de calor más bajo a través de la oblea.


 Control de uniformidad de temperatura: 

El componente de techo Aixtron G5+ ayuda a lograr una distribución de temperatura uniforme en toda la cámara de reacción. En el proceso de crecimiento epitaxial de semiconductores, la uniformidad de la temperatura es crucial para crecer capas epitaxiales de alta calidad. Asegura que se pueda obtener la misma temperatura de la superficie en todas las obleas o componentes satelitales, asegurando así la consistencia de la tasa de crecimiento y la calidad del material epitaxial en todos los lugares, mejorando así el rendimiento del proceso.


 Optimizar el entorno de crecimiento: 

Como parte de la cámara de reacción, el componente de techo Aixtron G5+ forma un entorno de crecimiento estable junto con otros componentes. Puede reducir la pérdida de calor y hacer que la temperatura en la cámara de reacción sea más estable, lo que es propicio para controlar con precisión las condiciones para el crecimiento epitaxial y la reducción de los defectos de la capa epitaxial y el rendimiento de la no uniformidad causada por las fluctuaciones de temperatura.


El componente de techo AixTron G5+ es uno de los productos principales de la industria lanzado por Vetek Semiconductor. Elegir el semiconductor Vetek significa asociarse con una compañía comprometida a superar los límites de la innovación de recubrimiento de carburo de silicio. Con un fuerte énfasis en la calidad, el rendimiento y la satisfacción del cliente, entregamos productos que no solo cumplen sino que exceden las rigurosas demandas de la industria de los semiconductores. Permítanos ayudarlo a lograr una mayor eficiencia, confiabilidad y éxito en sus operaciones con nuestras soluciones avanzadas de componentes de techo Aixtron G5+.

Datos de material del grafito SGL 6510:

Propiedades típicas
Unidades
Estándares de prueba
Valores
Tamaño promedio de grano
μm
ISO 13320
10
Densidad masiva
g/centímetro3
De IEC 60413/204
1.83
Porosidad abierta
Vol.%
De 66133
10
Diámetro de entrada de poro medio
μm
De 66133
1.8
Coeficiente de permeabilidad (temperatura ambiente)
centímetro2/s
De 51935
0.06
Dureza de Rockwell HR5/100
\ De IEC 60413/303
90
Resistividad
μΩm
De IEC 60413/402
13
Resistencia a la flexión
MPA
De IEC 60413/501
60
Resistencia a la compresión
MPA
Del 51910
130
Módulo dinámico de elasticit
MPA
De 51915
11.5 x 103
Expansión térmica (20-200 ℃)
K-1
De 51909
4.2x10-6
Conductividad térmica (20 ℃)
WM-1K-1
De 51908
105
Contenido de cenizas
PPM
De 51903
\

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