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Portador de oblea con revestimiento de SiC
  • Portador de oblea con revestimiento de SiCPortador de oblea con revestimiento de SiC

Portador de oblea con revestimiento de SiC

Como fabricante y proveedor profesional de soportes de obleas con recubrimiento de SiC, los soportes de obleas con recubrimiento de SiC de Vetek Semiconductor se utilizan principalmente para mejorar la uniformidad del crecimiento de la capa epitaxial, asegurando su estabilidad e integridad en ambientes corrosivos y de alta temperatura.

Vetek Semiconductor se especializa en la fabricación y suministro de portadores de obleas con recubrimiento de SiC de alto rendimiento y se compromete a brindar tecnología avanzada y soluciones de productos a la industria de semiconductores.


En la fabricación de semiconductores, el portador de obleas con recubrimiento de SiC de Vetek Semiconductor es un componente clave en los equipos de deposición química de vapor (CVD), especialmente en los equipos de deposición química de vapor orgánico metálico (MOCVD). Su tarea principal es soportar y calentar el sustrato monocristalino para que la capa epitaxial pueda crecer uniformemente. Esto es esencial para fabricar dispositivos semiconductores de alta calidad.


La resistencia a la corrosión del recubrimiento de SiC es muy buena, lo que puede proteger eficazmente la base de grafito de gases corrosivos. Esto es especialmente importante en ambientes corrosivos y de alta temperatura. Además, la conductividad térmica del material de SiC también es excelente, lo que puede conducir el calor de manera uniforme y garantizar una distribución uniforme de la temperatura, mejorando así la calidad de crecimiento de los materiales epitaxiales.


El recubrimiento de SiC mantiene la estabilidad química en atmósferas corrosivas y de alta temperatura, evitando el problema de falla del recubrimiento. Más importante aún, el coeficiente de expansión térmica del SiC es similar al del grafito, lo que puede evitar el problema del desprendimiento del recubrimiento debido a la expansión y contracción térmica y garantizar la estabilidad y confiabilidad del recubrimiento a largo plazo.


Propiedades físicas básicas dePortador de oblea con revestimiento de SiC:


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad
3,21 g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano
2~10μm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica
640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1


Taller de producción:

VeTek Semiconductor Production Shop


Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Etiquetas calientes: Portador de oblea con revestimiento de SiC, Portador de oblea de carburo de silicio, Soporte de oblea semiconductora
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