Susceptor Epi recubierto de carburo de silicio

La epitaxia semiconductora se refiere al crecimiento de una película delgada con una estructura reticular específica sobre la superficie de un material de sustrato mediante métodos tales como fase gaseosa, fase líquida o deposición por haz molecular, de modo que la capa de película delgada recién formada (capa epitaxial) tiene la estructura reticular y orientación iguales o similares a las del sustrato. 

La tecnología de epitaxia es crucial en la fabricación de semiconductores, especialmente en la preparación de películas delgadas de alta calidad, como capas monocristalinas, heteroestructuras y estructuras cuánticas utilizadas para fabricar dispositivos de alto rendimiento.

El susceptor EPI recubierto de carburo de silicio es un componente clave utilizado para soportar el sustrato en el equipo de crecimiento epitaxial y se usa ampliamente en la epitaxia de silicio. La calidad y el rendimiento del pedestal epitaxial afectan directamente la calidad de crecimiento de la capa epitaxial y juegan un papel vital en el rendimiento final de los dispositivos semiconductores.

Es semiconductorcubrió una capa de recubrimiento SIC sobre la superficie de grafito SGL mediante el método CVD y obtuvo un episusceptor recubierto de SiC con propiedades tales como resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, resistencia a la corrosión y uniformidad térmica.

En un reactor de barril típico, el susceptor Epi recubierto de carburo de silicio tiene una estructura de barril. La parte inferior del susceptor Epi recubierto de SiC está conectada al eje giratorio. Durante el proceso de crecimiento epitaxial, mantiene una rotación alterna en sentido horario y antihorario. El gas de reacción ingresa a la cámara de reacción a través de la boquilla, de modo que el flujo de gas forma una distribución bastante uniforme en la cámara de reacción y finalmente forma un crecimiento de capa epitaxial uniforme.

La relación entre el cambio de masa del grafito recubierto de SiC y el tiempo de oxidación.

Los resultados de los estudios publicados muestran que a 1400 ℃ y 1600 ℃, la masa de grafito recubierto de SIC aumenta muy poco. Es decir, el grafito recubierto de SIC tiene una fuerte capacidad antioxidante. Por lo tanto, el susceptor EPI recubierto de SIC puede funcionar durante mucho tiempo en la mayoría de los hornos epitaxiales. Si tiene más requisitos o necesidades personalizadas, contáctenos. Estamos comprometidos a proporcionar las soluciones de susceptores EPI recubiertas de SIC de mejor calidad.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD

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