Anillo de guía de tres pétal recubierto de TAC CVD TAC

El material de sustrato de cristal único de carburo de silicio es un tipo de material de cristal, que pertenece al material semiconductor de banda ancha. Tiene las ventajas de alta resistencia a voltaje, alta resistencia a la temperatura, alta frecuencia, baja pérdida, etc. Es un material básico para la preparación de dispositivos electrónicos de alta potencia y dispositivos de radiofrecuencia de microondas. En la actualidad, los principales métodos para el crecimiento de los cristales SIC son el transporte físico de vapor (método PVT), deposición de vapor químico de alta temperatura (método HTCVD), método de fase líquida, etc.

El método de transporte de vapor físico (PVT) es una técnica bien establecida altamente adecuada para la producción industrial a gran escala. En este proceso, se coloca un cristal de semilla SiC en la parte superior del crisol, mientras que el polvo SIC, que sirve como materia prima, se coloca en el fondo del crisol. En las condiciones de alta temperatura y baja presión dentro de un entorno cerrado, el polvo SIC sublima. Impulsada por el gradiente de temperatura y la diferencia de concentración, la especie sublimada se mueve hacia arriba hacia la región cerca del cristal de semillas. Una vez que alcanza un estado sobresaturado, se produce recristalización, lo que permite un control preciso sobre el tamaño y el tipo de cristal específico de los cristales SIC cultivados.

El anillo de guía Petal recubierto de TAC CVD TAC sirve múltiples funciones cruciales. Principalmente, mejora la mecánica de fluidos al guiar el flujo de gas, asegurando que el área de crecimiento del cristal esté expuesto a una atmósfera uniforme. Además, disipa efectivamente el calor durante el proceso de crecimiento del cristal SIC. Al mantener el gradiente de temperatura apropiado, optimiza las condiciones de crecimiento para los cristales de SiC y mitiga el riesgo de defectos de cristal causados ​​por una distribución de temperatura desigual.