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Grafito poroso recubierto de carburo tantalum
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Grafito poroso recubierto de carburo tantalum

El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio es un producto indispensable en el proceso de procesamiento de semiconductores, especialmente en el proceso de crecimiento de cristales SIC. Después de una continua inversión en I+D y actualizaciones tecnológicas, la calidad del producto de grafito poroso recubierto de TaC de VeTek Semiconductor ha recibido grandes elogios de los clientes europeos y americanos. Bienvenido a su consulta adicional.

El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio semiconductor VeTek se ha convertido en un cristal de carburo de silicio (SiC) debido a su resistencia a altas temperaturas (punto de fusión alrededor de 3880 °C), excelente estabilidad térmica, resistencia mecánica e inercia química en ambientes de alta temperatura. Un material indispensable en el proceso de crecimiento. En particular, su estructura porosa proporciona muchas ventajas técnicas para elproceso de crecimiento de cristales


A continuación se presenta un análisis detallado deGrafito poroso recubierto de carburo de tantaliopapel central:

● Mejorar la eficiencia del flujo de gas y controlar con precisión los parámetros del proceso

La estructura microporosa del grafito poroso puede promover la distribución uniforme de los gases de reacción (como el gas de carburo y el nitrógeno), optimizando así la atmósfera en la zona de reacción. Esta característica puede evitar efectivamente los problemas locales de acumulación de gas o turbulencia, garantizar que los cristales de SiC se estresen uniformemente durante todo el proceso de crecimiento, y la tasa de defectos se reduce considerablemente. Al mismo tiempo, la estructura porosa también permite un ajuste preciso de los gradientes de presión de gas, optimizando aún más las tasas de crecimiento de cristales y mejorando la consistencia del producto.


●  Reducir la acumulación de estrés térmico y mejorar la integridad del cristal

En operaciones de alta temperatura, las propiedades elásticas del carburo de tantalio poroso (TaC) mitigan significativamente las concentraciones de tensión térmica causadas por las diferencias de temperatura. Esta capacidad es particularmente importante cuando se cultivan cristales de SiC, ya que reduce el riesgo de formación de grietas térmicas y mejora así la integridad de la estructura cristalina y la estabilidad del procesamiento.


●  Optimice la distribución del calor y mejore la eficiencia en el uso de la energía.

El recubrimiento de carburo de tantalio no solo le da al grafito poroso una mayor conductividad térmica, sino que sus características porosas también pueden distribuir el calor de manera uniforme, asegurando una distribución de temperatura altamente consistente dentro del área de reacción. Esta gestión térmica uniforme es la condición fundamental para producir cristales de SiC de alta pureza. También puede mejorar significativamente la eficiencia de la calefacción, reducir el consumo de energía y hacer que el proceso de producción sea más económico y eficiente.


●  Mejore la resistencia a la corrosión y extienda la vida útil de los componentes.

Los gases y subproductos en entornos de alta temperatura (como la fase de vapor de hidrógeno o carburo de silicio) pueden provocar una corrosión grave de los materiales. El revestimiento TaC proporciona una excelente barrera química al grafito poroso, lo que reduce significativamente la tasa de corrosión del componente y extiende así su vida útil. Además, el recubrimiento asegura la estabilidad a largo plazo de la estructura porosa, asegurando que las propiedades de transporte de gas no se vean afectadas.


●  Bloquea efectivamente la difusión de impurezas y garantiza la pureza del cristal

La matriz de grafito sin recubrimiento puede liberar pequeñas cantidades de impurezas, y el recubrimiento de TAC actúa como una barrera de aislamiento para evitar que estas impurezas se difieran en el cristal SIC en un entorno de alta temperatura. Este efecto de blindaje es fundamental para mejorar la pureza de los cristales y ayudar a cumplir con los estrictos requisitos de la industria de semiconductores para materiales SIC de alta calidad.


El grafito poroso recubierto de carburo tántalo del semiconductor de Vetek mejora significativamente la eficiencia del proceso y la calidad del cristal al optimizar el flujo de gases, reducir el estrés térmico, mejorar la uniformidad térmica, mejorar la resistencia a la corrosión e inhibir la difusión de la impureza durante el proceso de crecimiento cristalino de SIC. La aplicación de este material no solo garantiza una alta precisión y pureza en la producción, sino que también reduce en gran medida los costos operativos, lo que lo convierte en un pilar importante en la fabricación moderna de semiconductores.

Más importante aún, VeTeksemi se ha comprometido durante mucho tiempo a proporcionar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de fabricación de semiconductores, y respalda servicios personalizados de productos de grafito poroso recubierto de carburo de tantalio. Esperamos sinceramente convertirnos en su socio a largo plazo en China.


Propiedades físicas del recubrimiento de carburo tantalum

Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad de recubrimiento TAC
14,3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6,3*10-6/K
Dureza de recubrimiento TAC (HK)
2000 Hong Kong
Resistencia del recubrimiento de carburo de tantalio
1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica
<2500℃
Cambios de tamaño de grafito
-10 ~ -20um
Espesor de revestimiento
≥20um valor típico (35um ± 10um)

Talleres de producción de grafito poroso recubierto de carburo de tantalio semiconductor VeTek

Graphite substrateSingle crystal growth furnaceGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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